英飞凌推第五代CoolGaN™双通道晶体管IGI65D1414A3M

在快充与高效电源设计持续向“小而强”演进的浪潮中，氮化镓（GaN）器件正从单管走向高度集成。近日，英飞凌（Infineon）正式发布其第五代CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管（型号：IGI65D1414A3MS），将完整的半桥功率级集成于仅6×8mm QFN-32封装中，以系统级创新重新定义高功率密度AC-DC电源的设计边界。

半桥集成：面积减半，性能反升

传统GaN快充方案需两颗独立650V增强型晶体管外加分立驱动与布局优化，不仅占用PCB面积，还因开关节点寄生电感引发振铃与EMI问题。而IGI65D1414A3MS直接将两个140mΩ导通电阻、650V耐压的CoolGaN™ HEMT集成于单一封装，并采用开尔文源极（Kelvin Source）引脚设计，有效解耦功率回路与驱动回路，显著提升开关速度与控制精度。

这一集成方案带来三大工程价值：

器件数量减少50%，简化BOM；

消除管间寄生电感，实现更干净的开关波形；

提升dv/dt能力，支持更高频工作（>1 MHz），进一步缩小磁性元件体积。

第五代GaN技术：更低损耗，更强鲁棒性

基于英飞凌第五代GaN工艺，该器件延续了CoolGaN™系列的核心优势：

无反向恢复电荷（Qrr = 0），彻底消除体二极管反向恢复带来的损耗与噪声；

优异的反向导通能力，在第三象限导通时压降更低，适用于高频同步整流或电机续流场景；

超低栅极电荷（Qg）与输出电荷（Qoss），大幅降低开关损耗，实测效率可提升1–2个百分点。

这些特性使其在90W–140W USB-C PD快充中表现尤为突出——在保持高效率的同时，整机厚度可压缩至10mm以内。

应用拓展：从消费电子到工业边缘

尽管主打快充市场，IGI65D1414A3MS的高集成度与高可靠性也打开了更广阔的应用空间：

USB-C适配器/充电器：支持GaN-on-GaN拓扑，实现“饼干式”超薄设计；

低功率电机驱动：如无人机电调、家用风扇，利用反向导通能力简化死区控制；

LED智能照明：高频PWM调光下仍保持高能效与低EMI。

此外，其-40°C至+150°C结温范围与高dv/dt抗扰度，也满足工业环境的基本要求。

系统级降本：不只是芯片更小

英飞凌强调，该器件的价值不仅在于芯片本身，更在于系统级成本优化：

减少PCB层数与铜箔面积；

降低对EMI滤波器的要求；

缩短开发周期——参考设计可直接复用，无需反复调试半桥匹配。

在快充市场利润持续收窄的当下，这种“集成即降本”的策略，正成为头部厂商突围的关键。

如需IGI65D1414A3MS产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售英飞凌（Infineon）旗下全系列IC电子元器件，原厂一手货源，保证原厂原装正品，现货供应、一片起订，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。