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在数据中心能效与功率密度要求持续攀升的背景下，硅基功率器件正通过架构创新重焕活力。全球功率半导体领导者英飞凌科技近日宣布，其600V CoolMOS™ 8超结（Superjunction）MOSFET已成功导入长城电源新一代高功率服务器电源设计，助力实现更高效率、更小体积与更优成本结构，为数据中心绿色转型提供关键支撑。
CoolMOS™ 8是英飞凌在高压硅基MOSFET领域的最新突破，专为LLC谐振拓扑等高频开关应用优化。相较于前代P7与CFD7系列，其栅极电荷（Qg）分别降低33%和18%，显著减少驱动损耗；同时具备业内领先的关断速度与提升14%–42%的热性能，有效降低系统温升。内置快速体二极管进一步简化电路设计，提升轻载效率。
“CoolMOS™ 8不仅性能卓越，更支持与CoolMOS™ 7的无缝切换，极大增强了供应链灵活性。”英飞凌高压功率开关产品线负责人Christina Guggenberger表示，“在SiC与GaN之外，我们证明了先进硅技术仍能在高性价比应用场景中发挥不可替代的作用。”
长城电源首席技术官金博士指出，采用CoolMOS™ 8后，其新一代电源单元（PSU）在功率密度与成本控制方面取得显著突破。“这不仅是器件升级，更是系统级能效跃迁的关键一环。”
该系列产品提供SMD-QDPAK、TOLL及ThinTOLL-8x8等多种封装选项，兼顾散热性能与PCB布局灵活性，适用于从千瓦级服务器电源到光伏逆变器、EV充电桩、UPS及消费类快充等广泛领域。尤其在数据中心80 PLUS Titanium/Platinum认证电源中，CoolMOS™ 8凭借低Qg与优异导通特性，可帮助设计者轻松跨越98%转换效率门槛。
值得注意的是，在宽禁带半导体成本仍居高不下的背景下，CoolMOS™ 8以接近GaN的开关性能与成熟的硅工艺成本优势，为中高功率应用提供了极具竞争力的折中方案。其全系产品已通过AEC-Q101车规认证（部分型号），可靠性亦满足工业级严苛要求。
目前，600V与650V CoolMOS™ 8样品已开放订购。随着AI服务器与液冷电源需求激增，这一高集成、高效率的硅基解决方案有望加速渗透高端电源市场，在碳中和目标下持续释放“老材料的新潜能”。
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