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16年300+全球知名电子元器件品牌代理分销经验
中微爱芯
中科芯(CKS)
芯源半导体
华普微电子
NXP恩智浦
AOS (万代)
Onsemi安森美
TI德州仪器
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英飞凌Infineon
ST意法半导体
Microchip微芯
Xilinx赛灵思
Renesas瑞萨
Intel/Altera
Atmel爱特梅尔
美信(Maxim)
华略微
普冉半导体
雅特力
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Winbond华邦电子
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16年300+全球知名品牌电子元器件品牌代理分销经验

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覆盖多个领域,为您提供可靠元器件、成本控制及方案解决。

中芯巨能帮您解决芯片采购难题 为您提供省时、省心、省钱的一站式采购

01原厂优势渠道,常备现货,不怕比价

原厂代理授权。常备有Altera 、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST、NXP、ON、ADI 、Maxim、I-CORE、CKS等,产品包括可编程逻辑器件、数字信号处理器、单片机微控制器、场效应管、IGBT单管、运放、存储、传感器等元器件。现货下单,2小时发货。

02提供免费样片测试、方案开发、技术支持

中芯巨能为终端客户提供免费样片测试。经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,工程师根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制,提高产品性能。提供性价比初期选型指导及高品质IC芯片应用方案,大大节省选型费用。

03专业售前/后服务团队,让您售后无忧

我们80%以上销售人员拥有超6年的行业工作经验,为客户提供研发选型阶段的规格推荐、样片提供、技术支持及方案整合等专业服务。

走进中芯巨能

芯时代,芯未来
  • 深圳市中芯巨能电子有限公司,成立于2010年,是一家集电子元器件代理商、产品方案开发和技术服务为一体的高科技企业,致力为客户提供可靠元器件、成本控制及方案解决。公司代理分销国内外品牌逾三百家,主要品牌有瑞萨电子、AOS、Altera、Xilinx、Microchip、Infineon、TI、ST、NXP、ON、ADI、中微爱芯、武汉芯源、中科芯、上海普冉、长电/长晶等 ,产品线包括现场可编程逻辑器件、数字信号处理器、微处理器、微控制器、单片机、场效应管、IGBT单管、碳化硅、 运放、存储、传感器、可控硅等以及其它被动元器件;为客户提供一站式解决方案。

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聚焦中芯巨能动态,获取芯片方向
瑞萨AI驱动制冷系统:提升能效与可靠性

2026-02-03热门瑞萨AI驱动制冷系统:提升能效与可靠性

在现代生活中,制冷系统不仅是家庭冰箱或空调那么简单,它更是保障药品、食品等关键物资安全储存的“幕后英雄”。从冷链仓库到家用电器,这些系统的稳定运行至关重要。随着人工智能(AI)技术的发展,瑞萨电子推出了一系列集成AI功能的制冷解决方案,旨在提升系统的耐用性、能效和智能化管...

2026-02-03热门安森美以SiC与先进硅基方案破局AI数据中心能效瓶颈

随着AI算力需求呈指数级增长,数据中心正面临前所未有的能耗挑战:单机架功率密度已突破100kW,传统电源架构在高负载下开关损耗剧增,而在AI任务常见的轻载(<10%)工况中,效率又急剧下滑。如何在全负载范围内实现高效、高密度、高可靠供电,成为行业亟待突破的技术关口。作为全球功率半导体...

瑞萨电子RA0E2 MCU:以高集成度实现BOM优化与系统简化

瑞萨电子RA0E2 MCU:以高集成度实现BOM优化与系统简化

在成本敏感型嵌入式系统中,工程师常面临一个核心矛盾:如何在缩减物料清单(BOM)的同时,维持甚至提升系统功能与可靠性。瑞萨电子中国代理商-中芯巨能推荐您使用瑞萨电子的RA0E2系列MCU,通过高精度片上资源与存储集成,为这一挑战提供了切实可行的工程路径。系统级降本的关键:消除外部元...

Diodes推140W USB PD3.1 DRP控制器,免MCU实现智能双向供电

Diodes推140W USB PD3.1 DRP控制器,免MCU实现智能双向供电

在便携设备对高功率、高兼容性充电需求激增的背景下,Diodes公司(Nasdaq:DIOD)近日推出两款支持USB PD3.1扩展功率范围(EPR)的双角色电源(DRP)控制器——AP53781 与 AP53782。这两款芯片最高可处理140W(28V/5A)双向电力传输,无需外部微控制器即可实现“插上即充、拔出即供”的智能电源切换...

骐骥开道聚荔乡,同心共赴新征途——中芯巨能2025尾牙年会圆满落幕

2026-01-28热门骐骥开道聚荔乡,同心共赴新征途——中芯巨能2025尾牙年会圆满落幕

骏马踏春启新岁,同心聚力谱华章。2026年1月24日至25日,中芯巨能2025尾牙年会在广州市增城区麦客荔客精品民宿温情启幕,全体同仁暂别忙碌的工作节奏,以一场治愈身心的短途之旅,共赴团圆之约,共话往昔荣光,共启马年新程。这场以“骐骥开道,奋进新篇”为主题的盛会,不仅定格了无数温馨瞬间...

2026-01-28热门同芯聚力,致敬每一位奋斗者 | 中芯巨能2025年度表彰盛典

2026年1月23日上午,中芯巨能“韧行2025,智启2026——同心聚力,共赴新程”年度员工表彰大会在公司会议室隆重举行。全体同仁齐聚一堂,共同回顾2025年的拼搏历程,展望2026的发展蓝图,并对过去一年中表现突出的18位优秀员工予以隆重表彰。总结复盘,锚定方向会议伊始,管理层作年度工作总结...

中芯巨能秋日露营团建:晚风、欢笑与团队的温度

中芯巨能秋日露营团建:晚风、欢笑与团队的温度

2025年11月15日,秋意正浓,微风轻拂。中芯巨能的伙伴们暂别繁忙的工位,齐聚深圳罗湖·望桐露营地草坪区,开启了一场别开生面的户外草坪露营团建活动——“吹晚风、享轻松,共赴一场惬意的户外之约”。抽签组队,四色战队活力集结活动伊始,大家通过抽签随机分组,红队、蓝队、橙队、紫队迅...

2025年中芯巨能国庆、中秋放假通知

2025年中芯巨能国庆、中秋放假通知

敬的客户:您好!值此国庆、中秋双节来临之际,中芯巨能全体员工谨向您致以最诚挚的祝福!祝您节日快乐,阖家幸福,万事如意!根据国务院办公厅关于2025年国庆节放假安排的通知精神,结合我公司实际情况,现将放假时间安排告知如下:放假时间:2025年10月1日(星期三)至10月7日(星期二),共7天。调休上班安...

MOSFET在电力电子中的典型应用解析

2026-02-03热门MOSFET在电力电子中的典型应用解析

金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高开关速度、低导通损耗、电压驱动特性及易于并联等优势,已成为现代电力电子系统的核心功率开关器件。其应用覆盖从毫瓦级便携设备到千瓦级工业系统的广泛领域。1. 开关电源(SMPS)MOSFET是AC-DC和DC-DC转换器的主力开关元件。在反激式...

2026-02-03热门工业图像传感器供电设计:降压转换器原理与选型要点

在工业相机系统中,电源设计直接影响图像传感器的噪声性能、动态范围和长期可靠性。由于CMOS图像传感器内部包含模拟前端、ADC、数字逻辑和高速接口等多个功能模块,各部分对电源电压、纹波和瞬态响应的要求差异显著,通常需采用多路独立稳压电源供电。本文从工程实践角度,解析降压转...

两相移相升压转换器:提升效率并减小输入/输出电容的工程方案

两相移相升压转换器:提升效率并减小输入/输出电容的工程方案

在电池供电系统中,当负载需要高于电池电压的稳定电源时,升压转换器是常见选择。然而,传统单相升压拓扑存在明显局限:输出电流脉动大,导致对输出电容的容量、ESR和ESL要求极高。为解决这一问题,两相移相升压架构提供了更优的工程路径——不仅显著降低输入/输出电容需求,还在宽负载范围...

变容二极管特性与典型应用解析

变容二极管特性与典型应用解析

变容二极管(Varactor Diode),又称可变电抗二极管,是一种利用PN结在反向偏置下耗尽层宽度随电压变化而改变其结电容的特殊半导体器件。它不用于整流或开关,而是作为“电压控制的可变电容器”广泛应用于高频电子系统。核心特性:电压控电容:反向电压(VR)增大 → 耗尽层变宽 → 结电容(Cj)减...

如何评估三端稳压器封装的散热性能?

2026-01-17热门如何评估三端稳压器封装的散热性能?

三端稳压器(如LM7805)虽结构简单,但其效率低、发热大,散热能力直接决定系统可靠性。而散热性能主要由封装类型和PCB设计共同决定。正确评估散热性能,可避免芯片过热关断或寿命缩短。1. 关键参数:热阻(θJA)热阻是衡量封装散热能力的核心指标,单位为℃/W,表示每瓦功耗引起的结温升高。常...

2026-01-15热门三端稳压器封装如何影响PCB设计?

三端稳压器(如78xx、79xx系列)因其结构简单、成本低廉,至今仍广泛用于各类电源电路。虽然只有输入(IN)、输出(OUT)和地(GND)三个引脚,但其封装形式——从经典的TO-220到小型SOT-223——对PCB布局、散热、可靠性和制造工艺有着深远影响。1. 散热能力决定是否需要散热器与铜箔设计最常见的...

【解答】线性稳压器封装如何影响PCB设计?

【解答】线性稳压器封装如何影响PCB设计?

在电源设计中,线性稳压器(尤其是LDO)的封装选择不仅关乎器件本身性能,更深刻影响PCB布局、散热、信号完整性和制造工艺。选型不当可能导致过热、噪声超标甚至焊接失效。1. 散热能力决定铜箔与焊盘设计通孔封装如TO-220可通过金属背板加装散热器,PCB只需预留安装孔;而表贴封装(如SOT-2...

【解答】如何优化2SK2225-E的热设计?

【解答】如何优化2SK2225-E的热设计?

优化 2SK2225-E(1500V/2A N沟道高压MOSFET,TO-3PF封装)的热设计,是确保其在高电压、高开关频率或连续工作条件下长期可靠运行的关键。尽管其额定电流仅为2A,但由于导通电阻较高(典型值约12Ω),在满载时导通损耗可达:即使实际应用中多为脉冲或轻载工况,仍需系统性地进行热管理。以下是针...