英飞凌发布650V CoolSiC™ MOSFET新品，75mΩ型号强化高能效设计

在全球加速推进碳中和与电气化的背景下，高效、高功率密度的电源系统成为工业、能源与消费电子领域的核心需求。近日，英飞凌（Infineon）宣布在其广受市场认可的 CoolSiC™ MOSFET 650V 第二代产品线中新增 75mΩ 型号，进一步拓展其在中功率应用中的覆盖能力，为储能、光伏逆变器、服务器电源及新兴人形机器人等场景提供更高性价比的碳化硅解决方案。

性能升级，兼顾效率、鲁棒性与设计自由度

基于第一代沟槽栅 SiC MOSFET 技术的成熟基础，第二代 CoolSiC™ 650V 器件在导通电阻（RDS(on)）、开关损耗与热管理方面实现全面优化。新增的 75mΩ 型号（包括 IMBG65R075M2H、IMW65R075M2H、IMZA65R075M2H 等多封装版本）不仅达到同类产品中最优的器件优值（FOM），还支持 单极性驱动（关断栅压 VGS,off = 0 V），大幅简化栅极驱动电路设计，降低系统复杂度与 BOM 成本。

尤为突出的是，该系列采用英飞凌独有的 .XT 扩散焊接技术，显著降低热阻，并支持 顶部与底部双侧散热，为高功率密度设计开辟新路径。在硬开关（如 PFC）与软开关（如 LLC）拓扑中，均能实现顶尖的转换效率与高频运行能力，同时保持卓越的可靠性。

TOLL 封装：高功率密度与先进散热的完美结合

此次新品广泛采用 TOLL（Thin, Optimized, Low-profile, Leadless）封装，尺寸仅为 8×8 mm，高度仅 2.3 mm，引脚完全兼容传统 8×8 mm FET，便于现有平台平滑升级。相比 D2PAK、TO-247 等传统封装，TOLL 不仅节省 PCB 面积，还通过顶部裸露焊盘实现直接液冷或高效风冷，特别适用于无风扇设计、紧凑型充电模块或水冷电机驱动系统。

此外，英飞凌同步推出 TOLT 顶部散热版本，与 Q-DPAK 形成互补，满足不同散热架构需求。更低的杂散电感与优化的寄生参数，也使器件在高频开关下具备更优的 dv/dt 控制能力与 EMI 表现。

覆盖多元高增长赛道，推动系统级降本增效

CoolSiC™ 650V 第二代 75mΩ 器件的应用版图极为广泛：

能源领域：单相组串式光伏逆变器、户用及工商业储能 PCS；

数据中心与通信：服务器电源、5G 基站通信电源、边缘计算设备；

消费与工业：电视电源、家用/商用 HVAC 系统、轻型电动车及电动自行车快充；

前沿科技：人形机器人关节驱动、电池管理系统（BMS）与智能充电基础设施。

凭借单位成本下更高的系统性能、简化散热设计以及长期运行可靠性，该系列产品正成为工程师在中功率（1–10 kW）段实现“高效+小型化+低成本”三位一体目标的关键器件。

随着碳化硅技术从高端走向主流，英飞凌通过持续迭代与封装创新，正加速 SiC 在大众市场的渗透，为全球绿色电子转型注入强劲“芯”动力。

 75mΩ 系列产品型号

IMBG65R075M2H

IMW65R075M2H

IMZA65R075M2H

IMLT65R075M2H

IMTA65R075M2H

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