微芯推出3.3kV mSiC功率模块，加速AI数据中心SST落地

随着生成式AI的爆发式增长，超大规模数据中心的算力需求正面临前所未有的供电挑战。传统的低频变压器架构因体积庞大、损耗高且灵活性不足，已逐渐难以满足下一代AI基础设施对能效与投资回报率的严苛要求。为了突破这一瓶颈，Microchip Technology（微芯科技）正式推出全新的3.3 kV HV-D3 mSiC功率模块。该产品专为固态变压器（SST）应用量身打造，旨在简化并加速从中压电网直接向服务器机架进行高效直流供电的架构转型。

直击AI供电痛点，赋能固态变压器革新

在AI数据中心规模持续扩张的背景下，词元生成能力直接受制于供电系统的效率。固态变压器作为电力传输领域的根本性革新，能够大幅减少电能转换级数，从中压电网直接输出稳压直流电，从而显著提升系统效率并简化转换链路。Microchip此次推出的HV-D3 mSiC模块，正是为了支撑这一高压直流机架配电趋势而设计。

该模块采用行业标准的62 mm封装，内部集成了先进的3.3 kV mSiC MOSFET与肖特基二极管。Microchip大功率解决方案业务部副总裁Clayton Pillion指出，在连接13.8 kV或34.5 kV电网时，相比传统的低压碳化硅方案，这款3.3 kV模块可将串联器件数量减少约一半。这一突破不仅填补了工业市场100-300安培功率器件的空白，更为分立式SiC器件与大型功率模块之间提供了理想的过渡方案。

硬核性能参数，保障高压系统可靠性

为了满足严苛的工业与能源系统需求，HV-D3 mSiC功率模块在电气性能与热管理上进行了全面优化：

卓越的绝缘与耐压能力：模块封装支持6 kV绝缘等级，并采用漏电起痕指数（CTI）600级材料，具备可扩展的爬电距离，确保高压串联连接的安全可靠。

优异的热性能与功率密度：采用导热性能极佳的氮化硅（Si₃N₄）基板，具备出色的功率循环能力，帮助设计人员降低冷却要求，在有限空间内实现更高的功率密度。

稳定的导通特性：基于Microchip的mSiC MOSFET技术，器件在整个工作温度范围内具备优异的导通电阻RDS(on)稳定性，且在硬开关与软开关拓扑中均展现出均衡的低开关损耗。

灵活拓扑配置，拓展多元高压应用场景

HV-D3 mSiC功率模块提供半桥与共源极两种拓扑配置，并可选配带或不带反并联肖特基二极管的版本，能够灵活覆盖100-300安培的广泛电流应用场景。除了针对AI数据中心的固态变压器进行深度优化外，该模块同样适用于重型车辆兆瓦级充电基础设施、铁路及重型运输的辅助电源、中压电机驱动器，以及工业和国防电力系统等高压领域。

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