英飞凌推CoolSiC™ G2 MOSFET新品，Q-DPAK封装重塑高功率密度设计边界

在电动汽车与工业电源系统持续追求更高效率、更小体积的驱动下，碳化硅（SiC）器件正从“可选项”变为“必选项”。近日，英飞凌科技宣布扩展其CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，新增Q-DPAK顶部散热封装及多款低导通电阻型号，最低RDS(on)达4 mΩ，为车载充电器、DC-DC转换器、服务器电源及固态断路器等高要求应用提供新一代高效解决方案。

顶部散热Q-DPAK：破解高功率热管理瓶颈

此次发布的核心亮点是Q-DPAK封装——一种创新的顶部散热结构。与传统底部散热方案不同，Q-DPAK将芯片热量直接通过封装顶部传导至散热器或机壳，大幅降低热阻，尤其适用于空间受限、无法布置底部散热片的紧凑型模块（如OBC、800V电驱辅助电源）。实测表明，该封装在相同功耗下结温可比D2PAK降低15–20°C，显著提升长期可靠性。

同时，Q-DPAK兼容标准回流焊工艺，无需特殊装配流程，便于产线导入。

超低导通电阻 + 优化开关特性，兼顾硬/软开关场景

CoolSiC™ G2系列覆盖4 mΩ至60 mΩ RDS(on)（25°C），其中4 mΩ型号专为静态损耗敏感场景设计，如高压eFuse、电池隔离开关和固态继电器，可将导通损耗降至极低水平。

更重要的是，该系列在动态性能上实现突破：

超低RDS(on) × QOSS（输出电荷）与RDS(on) × Qfr（反向恢复电荷），有效降低硬开关拓扑（如PFC、LLC初级侧）中的开关损耗；

即使在高频硬开关条件下，效率仍优于前代产品及竞品SiC方案。

这使得G2系列不仅适用于ZVS软开关架构，也能在成本敏感的硬开关应用中释放SiC优势。

增强抗干扰能力，简化驱动设计

针对SiC MOSFET易受寄生导通（PTO）影响的痛点，G2系列将阈值电压VGS(th) 提升至典型4.5 V（25°C），并优化QGD/QGS比值，显著抑制米勒平台误触发。同时，器件支持-7 V静态栅压与-11 V瞬态耐压，允许使用更宽裕的负压关断策略，提升抗噪能力。

这一特性极大简化了栅极驱动电路设计，工程师可直接沿用现有驱动IC，无需额外增加钳位或隔离电路，加速开发周期。

应用覆盖广泛，样品已全面开放

新器件已面向关键市场开放样品：

Q-DPAK封装：4/7/20/33/40/50 mΩ；

D2PAK封装：7/25/33/40/50/60 mΩ。

目标应用包括：

汽车领域：800V车载充电机（OBC）、高低压DC-DC、PTC加热器；

工业领域：5G基站电源、数据中心服务器SMPS、EV直流快充桩；

新兴场景：固态断路器、智能配电单元（SPD）等高可靠性电力电子系统。

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