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在电动汽车、光伏逆变器和工业电源等高功率应用场景中，“散热”正成为制约系统效率与可靠性的关键瓶颈。为应对这一挑战，全球智能电源技术领导者安森美（onsemi, NASDAQ: ON）近日宣布推出采用T2PAK顶部冷却封装的全新EliteSiC™碳化硅（SiC）MOSFET系列，首次将650V与950V高压器件与创新散热架构深度融合，为汽车与工业市场带来兼具高效率、高功率密度与长期可靠性的突破性解决方案。
传统功率器件多依赖PCB底层散热，热量需穿过电路板才能传导至散热器，路径长、热阻高，严重限制了系统功率密度。而安森美此次推出的T2PAK封装通过将MOSFET芯片顶部直接与外部散热片热耦合，实现“热量直出”——绕过PCB热瓶颈，大幅降低结到散热器的热阻。实测表明，该设计可显著降低器件工作温度，不仅提升能效，还有效缓解元器件热应力，延长系统寿命。
“热管理是当今电力电子设计中最关键的挑战之一，”安森美碳化硅事业部副总裁Auggie Djekic表示，“我们的EliteSiC T2PAK方案让客户在不牺牲开关性能的前提下获得卓越散热能力，从而加速开发更紧凑、更高效的新一代产品。”
该系列首批器件已向核心客户交付，计划于2025年第四季度起大规模量产。产品覆盖12mΩ至60mΩ多种Rds(on)选项，满足从车载OBC、DC-DC转换器到太阳能逆变器、储能PCS等不同功率等级需求。
技术层面，T2PAK封装巧妙融合了TO-247的低热阻优势与D2PAK的贴装便利性，同时保持极低杂散电感，支持SiC器件高速开关特性，进一步降低开关损耗。更重要的是，其顶部冷却结构无需复杂热过孔或厚铜层PCB，简化了机械与电气设计，缩短开发周期，加快产品上市速度。
在“双碳”目标驱动下，高功率密度、高效率的能源转换系统需求激增。安森美此次以封装创新撬动SiC性能边界，不仅解决了工程师长期面临的“散热 vs. 性能”两难困境，更重新定义了高压功率模块的设计范式。随着T2PAK EliteSiC产品线的扩展，这一技术有望成为下一代800V电动车平台、兆瓦级光伏系统及工业电机驱动的标配方案，推动绿色能源基础设施迈向更高能效新阶段。
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