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英飞凌2EP130R+1ED3142评估板:面向SiC/IGBT的高集成驱动电源方案

来源:英飞凌| 发布日期:2025-12-05 14:00:01 浏览量:

在高压功率转换系统(如光伏逆变器、储能、UPS和伺服驱动)中,为隔离型栅极驱动器提供稳定、紧凑且高可靠性的辅助电源是设计难点之一。英飞凌推出的 EVAL-2EP130R-J 及其升级版 EVAL-1ED3142MC12H-2EP130R-J 评估板,为工程师提供了一套即插即用、可调输出、高绝缘强度的驱动电源解决方案,特别适用于SiC MOSFET与IGBT应用。

核心器件解析

2EP130R 是一款全桥变压器驱动IC,采用TSSOP-8封装,专为驱动隔离电源设计。其关键特性包括:

支持 非对称输出电压生成(如+18V/-4V),通过外部电阻分压网络可灵活配置(例如+15V/-7V);

内置 温度保护、UVLO(欠压锁定)和短路保护;

工作频率范围宽(50–695 kHz),便于优化变压器尺寸与效率;

输出功率达 3W,满足单通道或双通道驱动器供电需求。

搭配的 1ED3142MC12H 是英飞凌EiceDRIVER™ X3 Compact系列隔离驱动IC,专为高压SiC MOSFET优化:

隔离耐压 VISO = 5.7 kV,变压器绝缘达 5 kV;

峰值驱动电流 6.0 A(源)/6.5 A(灌);

CMTI > 300 kV/μs,有效抑制dV/dt引起的误触发;

支持高达 2300 V 的SiC MOSFET应用。

英飞凌2EP130R+1ED3142评估板

EVAL-1ED3142MC12H-2EP130R-J

带驱动器的电源板

评估板功能对比

image.png

设计优势与工程价值

简化电源设计:传统方案需独立DC-DC模块或分立推挽电路,而该评估板将变压器驱动、整流与稳压集成于极小面积,显著减少BOM数量与PCB空间。

灵活适配不同器件:通过调整反馈电阻,可匹配IGBT(如±15V)或SiC MOSFET(如+18V/-4V)的栅极驱动需求,提升平台复用性。

高可靠性保障:全板具备多重保护机制,且1ED3142MC12H的超高CMTI能力确保在高频开关、高dv/dt环境下稳定工作,避免米勒效应导致的误导通。

加速产品开发:该方案已通过EMI与热性能验证,可作为光伏逆变器、车载OBC、工业电机驱动等产品的直接参考设计,缩短从原型到量产的周期。

典型应用场景

光伏与储能逆变器:为SiC半桥/全桥驱动提供隔离偏置电源;

电动汽车充电与ESS:支持高效率、高功率密度设计;

工业伺服与UPS:在紧凑空间内实现高可靠性驱动供电;

焊接电源:应对高噪声、高瞬态干扰环境。

总结

EVAL-2EP130R-J系列评估板不仅是一套测试工具,更是一个经过验证的 高集成驱动电源子系统。对于正在开发800V及以上高压系统的工程师而言,该方案在安全性、灵活性与成本之间取得了良好平衡,值得在下一代功率电子设计中优先评估。

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