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在工业不间断电源(UPS)系统中,主电源与备用电池之间的无缝切换是保障关键负载持续运行的核心。传统肖特基二极管虽可实现基本的“ORing”功能,但其正向压降(通常0.3–0.5 V)会导致显著功耗和热管理难题,尤其在24 V、数安培以上的系统中更为突出。为此,基于MOSFET的理想二极管技术成为更优解——它不仅将导通损耗降至毫欧级,还能集成智能控制逻辑,实现高可靠性的电源切换。
以典型24 V工业UPS为例:主电源工作范围为19.2 V至30 VDC,瞬态电压可达60 V;备用电池满充为24 V,放电下限约19.2 V。由于主电源与电池电压高度重叠,若仅采用简单二极管ORing(如图1),极易因电压交叉或源阻抗压降引发“振荡切换”——即两电源反复争抢供电权,导致系统不稳定甚至损坏电池。例如,当主电源带载时其端电压因线路压降略低于空载电池电压,电池随即投入;而一旦电池带载,其端压又下降,主电源电压回升,再次接管……如此循环,形成恶性振荡。

图1.输入电源ORing
为解决此问题,需引入主动式源选择器(Source Selector)。如图2所示,该方案采用背靠背MOSFET结构(图3)构成双向可控开关,配合专用控制器(如LTC4370、MAX16126等),实现优先级管理与完全关断能力。在此架构中,主电源(VS)被设为高优先级:只要其电压处于有效工作窗口(如≥19.2 V),控制器即关断电池路径(VB),即使VB电压略高也不导通;仅当VS跌出范围(如掉电或故障),才无缝切换至电池供电。背靠背MOSFET还能阻断反向电流,防止系统在低负载时对电池误充电,避免“边充边放”的能量浪费。

图2.输入源选择器图

图3.具有背靠背MOSFET的理想二极管的符号表示
此外,现代理想二极管IC通常集成多重保护功能,显著提升系统鲁棒性:
过压保护(OVP):应对60 V瞬态,防止后级电路损坏;
欠压闭锁(UVLO):确保仅在有效电压范围内切换;
eFuse功能:提供过流与短路保护;
热插拔支持:允许带电插拔模块而不影响系统;
温度监测与关断:防止MOSFET过热失效。
图4展示了典型工作流程:正常状态下,主电源供电,电池路径完全关断;主电源失效后,控制器在微秒级内导通电池MOSFET,实现无中断切换;主电源恢复后,自动切回并隔离电池。

图4.输入源选择器操作
综上,理想二极管结合源选择器架构,不仅解决了电压相近电源切换的稳定性问题,还通过集成保护机制简化了外围设计。对于要求高可靠性、低功耗与紧凑布局的工业UPS、通信电源及冗余服务器系统,该方案已成为工程师的首选技术路径。