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在AI算力狂飙突进的今天，单颗GPU功耗已突破1000W，整机柜功率迈向数十千瓦，传统硅基功率器件在效率与热管理上日渐捉襟见肘。在此背景下，安森美（onsemi）凭借其创新的 750V SiC Combo JFET 器件 UG4SC075005L8S，一举摘得 2025年全球电子成就奖“年度功率半导体/驱动器产品” 殊荣，标志着宽禁带半导体在高密度电源领域的商业化落地迈入新阶段。
该器件采用 TOLL封装，巧妙地将一颗 750V碳化硅（SiC）JFET 与一颗低压硅MOSFET集成于单芯片内，构建出独特的“Combo JFET”架构。这一设计不仅规避了传统共源共栅（Cascode）结构中驱动复杂、动态损耗高等痛点，更在导通性能、热管理与系统兼容性上实现多重突破。
核心优势直击AI电源痛点：
超低导通电阻：RDS(ON) 仅 5mΩ，显著降低导通损耗，在20kW级服务器PSU中可提升整机效率0.5%–1%，年省电费数万美元；
高可靠性热设计：采用 银烧结裸片贴装技术，界面导热性能较传统焊料提升6倍，即便在高功率密度下仍保持低结温，确保长期运行稳定性；
精准开关控制：通过外部驱动调节关断速度，有效抑制电压过冲，强化短路保护能力，并支持多器件并联，满足大电流穿越需求；
无缝兼容现有生态：无需专用SiC驱动IC，可直接使用成熟硅基驱动器，大幅降低系统设计门槛与BOM成本。
尤为关键的是，UG4SC075005L8S具备 结温检测功能 和 无参数漂移特性，解决了宽禁带器件在长期高温工作下的可靠性疑虑，使其成为下一代 20kW AI服务器电源、OCP开放计算平台及液冷PSU 的理想选择。
随着数据中心PUE（能源使用效率）要求日益严苛，电源转换效率每提升0.1%，都意味着巨大的碳排与成本节约。安森美此次获奖，不仅是对其SiC技术实力的认可，更预示着Combo JFET架构正成为高功率密度电源的“新范式”。
如需UG4SC075005L8S等产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售安森美（onsemi）旗下全系列IC电子元器件，承诺100%原厂原装正品，现货供应、一片起订，满足您从研发到批量生产的所有大小批量采购需求。
在不间断电源（UPS）、储能变流器及工业能源基础设施中，功率转换效率、热管理与系统体积已成为核心设计瓶颈。安森美（onsemi）凭借其在工业功率集成模块（PIM）领域的深厚积累，推出基于第二代1200V SiC MOSFET（M3S技术）和第七代IGBT的全系列PIM模块，显著提升UPS前级PFC、DC/DC及逆变器的性能边...【详情+】
在增强现实（AR）与虚拟现实（VR）系统中，沉浸感不仅依赖于高分辨率显示和精准追踪，更取决于视觉感知子系统的实时性与准确性。安森美（onsemi）推出的 Hyperlux 系列图像与深度传感器，通过针对视频透视（VST）、眼动追踪、SLAM 和手势识别等关键功能的专项优化，为下一代 AR/VR 头显提供了高性能、...【详情+】
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