安森美携手英诺赛科，加速GaN功率器件规模化落地

来源：安森美| 发布日期：2025-12-04 10:27:49 浏览量：

在全球电气化与AI算力激增的双重驱动下，高效、紧凑的电源系统正成为技术竞争的新高地。近日，全球智能电源方案领导者安森美（onsemi）宣布与全球领先的氮化镓（GaN）制造商英诺赛科（Innoscience）签署非约束性谅解备忘录（MoU），双方将基于英诺赛科成熟的200毫米硅基GaN工艺平台，联合开发并扩大40–200V中低压GaN功率器件的生产规模，目标直指工业、汽车、AI数据中心及消费电子等高增长市场。

此次合作标志着GaN技术从“小众高性能”向“主流普及化”的关键转折。尽管GaN凭借更高开关频率、更低导通损耗和更小体积的优势，已在快充、服务器电源等领域崭露头角，但受限于产能不足与成本高企，其在中低压领域的广泛应用长期受阻。据市场研究预测，到2030年，全球GaN功率器件市场规模将达29亿美元，年复合增长率高达42%。安森美与英诺赛科的联手，正是为破解“有技术、无规模”的行业瓶颈。

根据协议，安森美将贡献其在GaN驱动器、先进封装（如PowerFLAT、TOLL）及系统级集成方面的深厚积累，而英诺赛科则提供其全球最大、最成熟的8英寸GaN晶圆制造能力。双方将首先聚焦40–200V产品线，覆盖从机器人电机驱动、车载DC-DC转换器，到AI服务器中间总线转换器（IBC）等多元场景。

对终端客户而言，这一合作带来三大核心价值：
一是加速产品上市——依托安森美的参考设计与英诺赛科的成熟工艺，可实现快速原型验证与设计导入；
二是保障产能可扩展性——借助英诺赛科珠海基地的规模化产线，满足从万级到百万级出货需求；
三是降低系统总成本——通过高度集成封装减少外围元件、简化热设计，实现更紧凑、更经济的电源方案。

“GaN是提升能效、减小碳足迹的关键技术，”安森美企业战略副总裁Antoine Jalabert表示，“与英诺赛科的合作将使我们能够利用业界最大的GaN制造基地，迅速扩大交付能力，推动GaN进入主流电力应用。”

英诺赛科产品与工程高级副总裁孙毅则强调：“我们期待与安森美共建系统级平台，让GaN技术真正赋能全球绿色电子转型。”

据悉，首批基于该合作的GaN器件样品预计将于2026年上半年提供。随着安森美进一步完善其涵盖硅、SiC与GaN的全栈智能电源产品组合，这场强强联合不仅将重塑中低压功率半导体格局，更将为全球能源效率升级注入强劲“芯”动能。

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