瑞萨RA8P1斩获全球电子成就奖，GaN方案加速能源架构革新

在AI与绿色能源双轮驱动的新技术浪潮下，半导体产业正经历前所未有的系统级重构。11月25日至26日，由AspenCore主办的国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen 2025）在深圳举行，瑞萨电子凭借其在AI微控制器与氮化镓（GaN）功率半导体领域的双重突破，成为全场焦点。

当晚举行的全球电子成就奖（WEAA）颁奖典礼上，瑞萨RA8P1 AI MCU荣膺“年度创新产品奖”。作为瑞萨首款集成Arm® Cortex®-M85 + Cortex-M33 双核与Ethos™-U55 NPU的32位微控制器，RA8P1实现了256 GOPS的AI算力与超7300 CoreMark的CPU性能，首次将高性能AI推理能力带入边缘MCU领域。该芯片采用台积电22ULL低功耗工艺，并率先集成嵌入式MRAM——相较传统闪存，MRAM具备纳秒级写入速度、近乎无限的擦写寿命及卓越的数据保持能力，为工业、汽车与智能终端设备提供高可靠、低延迟的AI部署平台。

“RA8P1不仅是一颗MCU，更是边缘智能的‘新引擎’。”瑞萨电子嵌入式处理器事业部高级经理陈峰在领奖时表示，“它让语音唤醒、视觉识别和实时预测性维护等AI功能，无需依赖云端即可在本地高效运行。”

与此同时，在25日上午举行的第30届高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛上，瑞萨氮化镓产品事业部高级总监Kenny Yim发表题为《构建未来能源架构：瑞萨GaN的系统级创新》的主题演讲，系统阐述了公司在GaN领域的战略布局。

面对AI服务器、电动汽车与可再生能源对高能效电源系统的迫切需求，瑞萨提出“控制器-驱动器-GaN一体化”解决方案。依托自主IP与垂直整合能力，瑞萨已实现从MCU、模拟前端到GaN功率器件的全栈协同设计。目前，其GaN方案已在高、中、低功率段全面量产：高功率市场超40个设计落地，中低功率分别有20+与35+项目进入批量交付，覆盖数据中心电源、车载OBC、光伏逆变器等关键场景。

“GaN的价值不仅在于效率提升，更在于系统级成本优化。”Kenny Yim强调，“通过高度集成的封装与简化外围设计，我们显著降低了客户采用GaN的技术门槛。”

随着全球能效标准趋严与AI算力密度激增，瑞萨正以“AI+能源”双轨战略，推动电子系统向更高性能、更低功耗、更强可靠性演进。此次IIC深圳展上的双重亮相，不仅彰显其技术领导力，更预示着国产替代浪潮下，国际头部厂商正以系统级创新重塑产业链价值格局。

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