安森美SiC与IGBT PIM模块：为UPS系统提供高功率密度与高效率解决方案

在不间断电源（UPS）、储能变流器及工业能源基础设施中，功率转换效率、热管理与系统体积已成为核心设计瓶颈。安森美（onsemi）凭借其在工业功率集成模块（PIM）领域的深厚积累，推出基于第二代1200V SiC MOSFET（M3S技术）和第七代IGBT的全系列PIM模块，显著提升UPS前级PFC、DC/DC及逆变器的性能边界。

SiC PIM：效率与功率密度的双重跃升

安森美最新发布的全SiC PIM模块采用M3S MOSFET技术，在导通电阻与开关性能上实现突破：

NXH011F120M3F2PTHG：1200V全桥SiC模块，RDS(ON)典型值仅11.3 mΩ（@VGS=18V, ID=100A），集成HPS直接键合铜（DBC）基板与NTC热敏电阻，适用于高频PFC与双有源桥（DAB）拓扑；

NXH008T120M3F2PTHG：专为三电平应用优化的T型中性点箝位（TNPC）模块，RDS(ON)低至8.5 mΩ，在相同输出功率下可进一步降低导通损耗，特别适合800V直流母线UPS系统。

得益于SiC器件极低的开关损耗，这些模块支持100kHz以上开关频率，使磁性元件（如PFC电感、变压器）体积减少30%–50%，同时提升系统效率1–2个百分点。例如，在30kW UPS中，全SiC方案可将整机效率从96%提升至98%以上，年节电量达数千度。

为加速设计验证，安森美提供Elite Power仿真平台及PLECS模型生成工具，支持对PFC、LLC、TNPC等拓扑进行精确损耗与热仿真。

IGBT PIM：高可靠性与成本优化的平衡之选

对于成本敏感或开关频率较低（<20kHz）的应用，安森美同步推出基于第七代场截止沟槽IGBT的PIM模块：

NXH800H120L7QDSG：1200V/800A半桥模块，采用PIM11（QD3）封装，集成NTC与低寄生电感布局；

新一代IGBT结合优化的第7代快恢复二极管，在导通压降（VCE(sat)）与关断损耗（Eoff）之间取得更佳平衡，适用于大功率工频逆变或后备式UPS。

该模块特别适合需要高浪涌电流承受能力和长期运行可靠性的场景，如数据中心后备电源或工业电机驱动。

封装与系统集成优势

所有PIM模块均采用标准工业封装（如F2、PIM11），兼容现有散热器与机械结构，便于从硅基方案平滑升级。DBC基板提供优异的热传导路径，结壳热阻（Rth(j-c)）低至0.1°C/W以下，配合NTC实时监控，确保在高环境温度下稳定运行。

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