16年IC行业代理分销 覆盖全球300+品牌
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
24小时服务热线: 0755-82539998
现货库存，2小时发货，提供寄样和解决方案
热搜关键词：
在全球加速推进电气化、可再生能源和AI算力基础设施的背景下，电力电子技术正迎来关键拐点。作为行业领军者，安森美（onsemi）近日宣布其垂直氮化镓（vGaN）技术已实现规模化量产，凭借颠覆性的器件架构与制造工艺，重新定义高能效电源系统的性能边界，为电动汽车、AI数据中心和绿色能源等领域注入强劲动能。
与当前主流的横向GaN（通常基于硅衬底）不同，安森美的vGaN采用GaN-on-GaN结构——即在体氮化镓衬底上外延生长功能层，使电流从芯片顶部垂直流向底部。这一设计不仅大幅降低导通电阻，还显著提升击穿电压与热管理能力。相比硅器件，GaN的Baliga品质因数（BFOM）高出约1000倍；而相较于横向GaN，垂直结构进一步减少晶体缺陷，带来更高可靠性与功率密度。
“垂直GaN不是渐进式改进，而是架构级跃迁。”安森美技术专家指出。传统横向器件受限于表面电场分布，难以突破高压瓶颈；而vGaN通过三维电流路径，轻松支持650V以上应用，并具备MHz级开关频率潜力，为系统小型化打开新空间。
实现这一突破的关键在于制造壁垒。块状GaN衬底成本高、生长慢，且对晶体完整性要求极为严苛。目前全球仅有极少数企业掌握量产能力。安森美依托自建产线与130余项核心专利，覆盖外延、刻蚀、钝化等全工艺链，成为业内首家将vGaN推向大规模商用的厂商。
其技术优势正快速转化为实际应用价值：
在电动汽车领域，vGaN可使车载充电机（OBC）和DC-DC转换器体积缩小40%以上，提升续航并加快充电速度；
面向AI数据中心，其接近零反向恢复电荷的特性，将48V→1V转换效率推至98%以上，单机柜年节电超万度；
在光伏与风电系统中，vGaN逆变器峰值效率突破99%，显著降低平准化度电成本（LCOE）；
其高可靠性与抗辐射特性，亦为航空航天电源系统提供新选择。
分析人士认为，随着AI算力激增与全球碳中和目标推进，高效电力转换已从“加分项”变为“必选项”。安森美vGaN的量产，标志着宽禁带半导体正式迈入“垂直时代”，不仅巩固其在高端电源市场的领导地位，更将加速整个行业向更高能效、更小体积、更强可靠性的方向演进。
深圳市中芯巨能电子有限公司代理销售安森美（onsemi）旗下全系列IC电子元器件，为制造业厂家的工程师或采购提供选型指导+数据手册+样片测试等服务。如需产品规格书、样片测试、采购等需求，请加客服微信：13310830171。
在全球半导体行业经历周期性调整的背景下，安森美（onsemi，纳斯达克：ON）以一项重磅资本举措释放强烈信号：公司不仅财务状况稳健，更对自身在汽车、工业和AI数据中心等高增长赛道的长期战略充满信心。近日，安森美宣布其董事会已批准一项为期三年、总额高达60亿美元的新股票回购计划，将于202...【详情+】
随着全球电动汽车（EV）渗透率快速提升，充电基础设施正从“能用”迈向“好用”——尤其是350kW以上超快充成为高端车型标配，对功率密度、转换效率与系统可靠性提出前所未有的挑战。在此背景下，安森美（onsemi）凭借其EliteSiC碳化硅MOSFET与Field Stop 7 IGBT技术组合，推出覆盖22kW至350kW...【详情+】
电话
申请样品
留言
咨询