兆易创新发布GD25NX系列，性能功耗双突破

在边缘AI、可穿戴设备与汽车电子对存储芯片提出更高能效与集成度要求的背景下，兆易创新（GigaDevice）正式发布新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该产品采用1.8V核心 + 1.2V I/O创新架构，成为业内首批可直接对接1.2V SoC、无需外置电平转换器的高速NOR Flash，显著降低系统BOM成本与整体功耗，为低电压高性能存储树立新标杆。

随着先进制程SoC普遍转向1.2V I/O供电以优化能效，传统1.8V NOR Flash需依赖额外电平转换芯片，不仅增加PCB面积与物料成本，还引入信号延迟与功耗开销。GD25NX系列通过原生支持1.2V I/O接口，彻底省去这一环节，实现“即插即用”式无缝连接，特别适用于空间受限、电池供电的智能手表、TWS耳机及车载域控制器等场景。

性能方面，GD25NX系列全面对标高端应用需求：

支持八通道xSPI模式，最高时钟频率达STR 200MHz / DTR 200MHz，理论带宽高达400MB/s；

写入时间仅0.12ms，扇区擦除27ms，较常规1.8V八通道产品分别提速30%与10%；

集成ECC纠错与CRC校验机制，大幅提升数据可靠性，满足车规级与数据中心对长期稳定运行的要求；

内置DQS（Data Strobe）信号，确保高速读写下的时序完整性，有效应对信号抖动与反射问题。

尤为突出的是其能效表现：在八通道DTR 200MHz满速运行下，读取电流仅24mA；相比传统1.8V同类产品，读功耗降低高达50%。这意味着在持续高频访问场景（如AI模型加载、实时日志记录）中，系统续航能力显著提升。

目前，GD25NX系列提供64Mb（GD25NX64J）与128Mb（GD25NX128J）两种容量，采用TFBGA24（8×6mm）和WLCSP（4×6 ball）两种紧凑封装，兼顾散热性能与微型化需求。其中，128Mb型号已开放样片，64Mb版本同步推进中。

“GD25NX系列开创了低电压与高性能兼具的SPI NOR Flash新格局，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“它紧贴主流SoC的低电压演进趋势，为客户带来更高集成度与更低系统成本。”

作为继GD25NF/NE系列后的第三代双电压产品，GD25NX的推出标志着兆易创新在高性能低功耗存储领域的持续领跑。随着AIoT与智能汽车加速落地，这款兼具速度、可靠性和能效优势的NOR Flash，有望成为下一代嵌入式系统的首选启动与代码存储方案。

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