安森美推出SiC快充方案，加速350kW超充基础设施落地

随着全球电动汽车（EV）渗透率快速提升，充电基础设施正从“能用”迈向“好用”——尤其是350kW以上超快充成为高端车型标配，对功率密度、转换效率与系统可靠性提出前所未有的挑战。在此背景下，安森美（onsemi）凭借其EliteSiC碳化硅MOSFET与Field Stop 7 IGBT技术组合，推出覆盖22kW至350kW+的直流快充（DCFC）全栈解决方案，并同步发布两款关键评估平台，助力开发者高效验证高功率拓扑。

在直流充电桩中，交流电网电能需经PFC（功率因数校正）和DC-DC两级转换后输出高压直流，直接为400V或800V电池包充电。传统硅基器件在高频高压下损耗大、温升高，难以满足超充需求。而SiC器件凭借10倍于硅的击穿电场强度、更低导通电阻及优异高温性能，成为实现高效率（>96%）、高功率密度（>5kW/L）的核心使能技术。

为加速SiC模块在充电桩中的工程化应用，安森美近期推出两款专用评估板：

EVBUM2878G-EVB：面向1200V M3S 4-PACK F2封装全桥模块（如NXH011F120M3F2PTHG），集成四路2.5kV隔离栅极驱动器、低寄生电感PCB布局及薄膜直流母线，支持双脉冲测试与开环功率验证，适用于200–350kW级三相LLC或DAB拓扑。

EVBUM2880G-EVB：适配F1封装2-PACK半桥模块（如NXH015P120M3F1PTG），配备5kVRMS隔离驱动器NCP51561、共用260µF直流母线及灵活PWM控制模式（支持单/双信号输入），可快速搭建全桥或交错并联架构，覆盖50–150kW中功率快充场景。

两款评估板均采用70µm厚铜FR4 PCB与高辐射率黑色涂层，优化散热与电磁兼容性，并预留罗氏线圈安装孔位，便于精确测量开关瞬态电流。

安森美的DCFC方案不仅提供核心功率器件，更构建了从SiC MOSFET、IGBT到隔离驱动、门极驱动电源的完整生态。例如，在350kW超充桩中，采用1200V EliteSiC模块可将开关频率提升至100kHz以上，显著缩小磁性元件体积；搭配NCP51561等高CMTI（>200kV/µs）隔离驱动器，则有效抑制dv/dt噪声导致的误触发，保障系统在高压瞬变下的安全运行。

目前，该方案已广泛应用于欧美及中国头部充电桩厂商的量产项目。随着800V高压平台车型加速普及，安森美通过标准化参考设计与高性能SiC产品组合，正推动直流快充向更高效率、更小体积、更低成本演进，为全球电动化转型提供关键底层支撑。

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