英飞凌推第五代1200V碳化硅二极管

2025年8月，英飞凌科技正式发布第五代 CoolSiC™ 1200V 肖特基二极管，采用标准 TO-247-2 封装，面向高效率、高功率密度电力电子系统提供全面升级的碳化硅解决方案。新品涵盖 IDWD50G120C5、IDWD60G120C5、IDWD75G120C5 和 IDWD150G120C5 四款型号，最大电流等级达 150A，适用于光伏逆变器、电动汽车充电、UPS（不间断电源）及工业焊接等关键领域。代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍该系列产品特点、产品优势、应用领域及可选型号。

技术亮点：全面优化性能与可靠性

作为英飞凌在宽禁带半导体领域的最新力作，第五代 CoolSiC™ 二极管在多个关键指标上实现突破，显著提升系统级表现：

无反向恢复电流 & 无正向恢复电压

彻底消除传统硅二极管的恢复损耗和电压尖峰，大幅降低开关损耗与 EMI（电磁干扰），支持更高频率运行。

开关特性不随温度变化

在 -40°C 至 175°C 宽温范围内保持稳定开关行为，确保高温工况下系统仍具高可靠性。

高温下正向压降低

相比硅器件，高温导通损耗更低，提升整体能效，减少散热设计压力。

严格的正向电压分布控制

有利于多管并联应用中的电流均衡，提升大功率系统的稳定性。

高浪涌电流承载能力

可承受瞬时过流冲击，适用于电网波动或冷启动等严苛场景。

通过雪崩测试验证

具备优异的雪崩鲁棒性（Avalanche Robustness），在过压条件下仍能安全运行，增强系统容错能力。

新品采用英飞凌成熟的 .XT 扩散焊技术，相比传统焊料工艺，显著提升热循环寿命与长期可靠性。该技术增强了芯片与基板之间的连接强度，有效降低热阻，提升散热效率，特别适合高温、高负载持续运行的应用环境。

应用价值：即插即用，高效升级

CoolSiC™ 1200V 肖特基二极管具备“即插即用”特性，可直接替代现有设计中的硅基快恢复二极管，无需更改拓扑结构或 PCB 布局，极大降低客户迁移成本。

系统效率显著提升：相比硅器件，整机效率可提高 0.5%~2%，尤其在高频 PFC 和 DC-DC 拓扑中优势明显。

支持高频化设计：助力电源系统工作频率提升至数十 kHz 甚至百 kHz 级别，减小电感、变压器等无源元件体积。

提高功率密度：更小的散热器与被动器件尺寸，实现设备小型化与轻量化。

增强系统可靠性：结合雪崩耐受与. XT 封装技术，延长设备使用寿命，降低维护成本。

典型应用场景

光伏

电动汽车充电

不间断电源UPS

焊接

产品品型号

IDWD50G120C5

IDWD60G120C5

IDWD75G120C5

IDWD150G120C5

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