安世半导体推出1V保护二极管，适配USB4高频接口

近日，安世半导体（Nexperia）宣布推出五款新型1V保护二极管，专为高速交流耦合射频（RF）信号链路设计，旨在满足USB4®和Thunderbolt™等超高速接口日益严苛的ESD与浪涌防护需求。新产品包括PESD1V0C1BSF、PESD1V0H1BSF等型号，面向智能手机、便携设备、通信系统及计算机外设等应用，提供兼具优异射频性能与高鲁棒性的系统级保护方案。

随着USB4和Thunderbolt接口数据速率突破10 GHz，信号完整性对保护器件的寄生参数极为敏感。传统ESD保护方案往往在低电容与高防护能力之间难以兼顾。安世此次推出的1V保护二极管系列通过优化器件结构与工艺，在确保超低电容的同时，实现强大的瞬态抑制能力。其典型电容值低至0.1 pF，显著降低对高频信号的干扰；在12.8 GHz下插入损耗仅为-0.21 dB，且在高达40 GHz频率范围内无谐振现象，确保信号保真度。

在防护性能方面，该系列支持高达±18 kV的IEC 61000-4-2接触放电保护，并具备出色的浪涌耐受能力，平均峰值脉冲电流（Ipp）可达9.6 A，可有效应对Vbus与高速差分线（TX/RX）之间因非合规Type-C连接导致的短路事件，保护后端敏感收发器IC。

安世半导体强调PCB布局对系统级ESD性能的关键影响。短走线布局虽有利于高频传输，但可能加剧ESD钳位效应；而长走线引入的寄生电感虽可缓解钳位，却可能恶化信号完整性。为此，新产品系列提供差异化设计选项，使工程师可根据实际布线环境灵活选型，实现保护性能与信号质量的最佳平衡。

所有器件均采用安世成熟的DSN0603-2（SOD962-2）超小型无引脚封装，尺寸仅为0.6 mm × 0.3 mm × 0.33 mm，具有极低的封装电感，进一步优化高频表现。该封装已广泛应用于移动终端，具备良好的可制造性与热稳定性。

此外，安世还为该系列提供详细的射频参数模型及SEED（System Efficiency and ESD Design）仿真支持，帮助设计人员在早期阶段评估器件在实际系统中的性能，缩短开发周期。

安世半导体高级产品经理Stefan Seider表示：“我们的目标是为高速接口设计提供真正可扩展的保护解决方案。这一新系列不仅提升了电气性能边界，更通过模型支持与封装优化，赋予工程师更大的设计自由度。”

随着高速接口在消费电子与数据中心的普及，兼具低寄生、高防护与小尺寸的ESD器件正成为系统设计的关键元件。安世此次推出的1V保护二极管系列，标志着其在高频保护技术领域的持续领先，也为下一代高速互连系统的可靠性提供了有力保障。

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