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随着人工智能、云计算和可再生能源技术的快速发展，对高效能功率器件的需求持续攀升。近日，Nexperia（安世半导体）宣布推出两款新型1200 V、20 A碳化硅（SiC）肖特基二极管——PSC20120J与PSC20120L，专为工业电源系统优化设计，适用于高功率AI服务器电源、电信设备供电系统以及光伏逆变器等关键应用场景。代理销售Nexperia（安世半导体）旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍PSC20120J与PSC20120L产品特点及封装。
PSC20120J和PSC20120L基于先进的合并PiN肖特基（MPS）结构，具备出色的电热性能，支持在高温环境下稳定运行。该系列产品具有以下核心优势：
无温度依赖的容性开关特性
零反向恢复电流（zero recovery）
优异的品质因数（Qc × Vf）
开关性能不受电流及di/dt变化影响
这些特性使其在高频、高压变换场景中表现出更高的效率和更低的损耗，尤其适合追求小型化与高功率密度的设计需求。
此外，得益于其MPS结构，这两款器件拥有出色的浪涌电流耐受能力（IFSM），大幅降低了对外部保护电路的依赖，从而简化了系统设计，提升了整体可靠性。
为了满足不同应用对封装形式和安装方式的需求，安世半导体分别为这两款产品提供了两种主流功率封装选项：
PSC20120J：采用真双引脚D2PAK R2P（TO-263-2）表面贴装（SMD）封装，便于自动化装配，适用于高密度PCB布局。
PSC20120L：采用通孔式TO247 R2P（TO-247-2）封装，提供更强的散热能力和机械稳定性，适用于大功率、高可靠性系统。
两款封装均支持高达175℃的工作温度，确保在极端工况下的稳定运行，并提升长期使用的可靠性。
当前，AI服务器、数据中心电源系统以及太阳能逆变器正面临不断提升的功率密度和转换效率挑战。传统硅基二极管在高频高压下存在显著的开关损耗和温升问题，已难以满足新一代系统要求。
而PSC20120J/L系列凭借其碳化硅材料固有的宽禁带特性，如高击穿电压、低导通压降和优异的热导率，能够有效降低开关损耗，提高系统效率，并允许使用更小的磁性元件和散热结构，推动电源系统向更高集成度发展。
如需PSC20120J/L系列产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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