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2025年8月5日，全球半导体巨头英飞凌（Infineon）正式发布其最新一代OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET技术，旨在为高能效电源系统树立全新行业标准。该技术凭借突破性的性能指标，全面覆盖从数据中心、电信基础设施到电动出行与可再生能源等多个关键领域，助力客户实现更高的功率密度、系统效率与长期可靠性。
作为OptiMOS™ 5的升级迭代产品，OptiMOS™ 6 150V在多项核心参数上实现显著跃升。其中，导通电阻（RDS(on)）较前代产品最高降低41%，显著减少传导损耗；同时，其栅极电荷-导通电阻乘积（FOMg）和栅极电荷-输出电荷乘积（FOMgd）分别优化20%和17%，大幅降低开关损耗，尤其适用于高频硬开关与软开关拓扑。
在动态性能方面，OptiMOS™ 6 150V展现出行业领先的反向恢复电荷（Qrr）表现，为150V器件中最低水平，有效抑制开关过程中的能量损耗与电磁干扰（EMI）。此外，二极管软度的优化进一步降低了电压过冲与振铃现象，提升系统EMI表现，简化滤波设计。配合严格的栅极阈值电压（Vgs(th)）容差（±500mV），确保多管并联应用中的电流均衡性，提升整体系统稳定性。
可靠性同样是该系列的核心亮点。器件支持最高175°C的结温（Tj），并具备高雪崩耐量，满足严苛工业环境下的长期运行需求。所有产品均符合MSL1等级，适用于无铅回流焊工艺，保障生产良率与产品一致性。
为适配多样化的应用需求，OptiMOS™ 6 150V提供丰富的封装选择，包括SuperSO8、PQFN 3.3x3.3、TOLG、TOLL、TOLT、D²PAK（3针与7针）以及TO-220等，兼顾高功率密度与散热性能，便于工程师灵活设计。
目标应用广泛覆盖：在服务器与电信SMPS中，可提升能效并缩小电源体积；在轻型电动车（LEV）、电动叉车及电动工具中，增强动力系统效率与续航能力；在太阳能优化器和大功率USB-PD充电器中，实现更紧凑、更高效的能量转换方案。
英飞凌表示，OptiMOS™ 6 150V的推出，标志着功率MOSFET技术在效率与集成度上的又一次飞跃，将持续推动绿色能源与智能电力系统的创新发展。
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