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近日，全球领先的分立半导体与无源电子元件制造商Vishay宣布推出一款基于无引线键合（Bonded Wireless, BWL）封装技术的全新80 V TrenchFET® Gen IV N沟道功率MOSFET——SiEH4800EW。该器件凭借行业领先的导通电阻和优化的热管理性能，为工业类高功率密度应用提供了高效、紧凑的解决方案。如需SiEH4800EW产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
在10V栅极驱动电压下，SiEH4800EW的典型导通电阻（RDS(on)）仅为0.88mΩ，较同尺寸竞品降低了约15%。这一突破性的低导通电阻显著减少了传导损耗，从而提升了系统整体效率。此外，其最大结到壳热阻（RthJC）为0.36°C/W，比同类产品低18%，有助于改善器件在高负载下的热表现，延长使用寿命。
该MOSFET采用8mm x 8mm的紧凑型表面贴装封装，厚度仅1mm，相较传统的TO-263封装方案，PCB占用面积减少达50%，非常适用于对空间敏感的设计场景，如电机控制、机器人及电池管理系统等。
SiEH4800EW采用了融合焊盘设计，将源极焊盘的可焊面积扩大至3.35 mm²，是传统PIN脚焊接面积的四倍。这一设计有效降低了PCB与器件之间的电流密度，显著降低电迁移风险，提高了长期运行的稳定性与可靠性。
此外，该器件还具备增强型侧翼焊锡吸附结构，不仅提升了焊接工艺的良率，也便于通过目视方式检测焊点质量，进一步保障了制造过程中的可检性和一致性。
SiEH4800EW适用于多种高要求工业场景，包括同步整流、Oring电路、电机驱动控制器、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人以及3D打印机等。得益于其BWL封装结构，该MOSFET的寄生电感被降至最低，从而支持更高的开关频率和更大的电流承载能力。同时，器件可在高达+175°C的工作温度下稳定运行，满足严苛环境下的应用需求。
在环保与品质方面，SiEH4800EW符合RoHS标准，不含卤素，并经过100% Rg测试和雪崩能量测试（UIS），确保出厂产品的稳定性和一致性。
随着工业设备向小型化、高效化方向发展，功率MOSFET在系统能效和可靠性中扮演着越来越关键的角色。Vishay推出的这款SiEH4800EW，凭借其出色的电气性能、创新的封装技术和广泛的适用性，为工程师在电源设计中提供了新的高性能选项，有望在多个高端工业领域加速落地应用。
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