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2025年6月13日，充电头网将在深圳举办“2025世界碳化硅大会”，全面探讨碳化硅（SiC）器件在新能源、快充、工业电源等领域的最新发展趋势与应用前景。届时，AOS（美国万国半导体）SiC研发团队将受邀出席，并由其应用工程经理朱礼斯先生带来题为《AOS第三代aSiC MOSFET使用0V关断电压的可行性研究》的主题演讲，分享公司在第三代半导体技术上的最新研究成果。
作为功率器件的重要演进方向，碳化硅MOSFET凭借其高耐压、低损耗和高频特性，在电动汽车、光伏逆变器、服务器电源等领域正加速替代传统硅基器件。然而，在实际应用中，SiC MOSFET对驱动电路的要求更高，尤其是在关断过程中，负压关断仍是主流方案，以防止误开通带来的风险。
此次大会上，朱礼斯将从拓扑结构、器件参数、驱动波形等多个维度出发，系统分析采用0V关断电压的可行性及其潜在优势。这一研究或将为工程师提供更简洁、更具成本效益的驱动设计思路，进一步推动SiC器件在各类高密度电源系统中的普及。
此前，AOS已正式发布其第三代1200V aSiC MOSFET产品线，标志着其在宽禁带半导体领域迈出了关键一步。该系列产品在导通电阻、开关损耗及短路耐受能力等方面均有显著提升，支持更高频率、更高效率的电力电子系统设计。
据AOS介绍，新一代aSiC MOSFET不仅优化了芯片结构，还通过封装工艺改进提升了热管理和可靠性，适用于车载OBC（车载充电器）、DC-DC转换器、光伏逆变器以及高功率密度适配器等多种应用场景。
本次“世界碳化硅大会”旨在搭建一个高质量的技术交流平台，汇聚来自学术界、产业链上下游的企业代表，共同探讨第三代半导体材料的发展路径与市场机遇。作为大会重要环节之一，AOS的技术分享不仅展现了企业在SiC领域的持续投入，也为行业提供了关于驱动策略、系统集成和性能优化的新视角。
随着碳化硅器件成本逐步下降、良率提升和供应链日益成熟，其在新能源汽车、绿色能源和数据中心等领域的渗透率将持续上升。AOS表示，未来将继续扩大其SiC产品布局，围绕高压、高效、高可靠性的需求，推动碳化硅技术从实验室走向规模化落地。
注：我司是AOS代理商，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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