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近日，英飞凌科技推出全新EconoDUAL™ 3半桥功率模块系列，基于其增强型CoolSiC™ MOSFET M1H芯片技术，为高功率密度与高效率需求的应用场景提供创新解决方案。该系列产品包括多个版本，涵盖PressFIT引脚、预涂导热界面材料（TIM）和Wave波浪结构基板设计，满足从工业电机驱动到电动汽车充电系统的多样化需求。
此次发布的模块共有三个型号：
FF1MR12MM1H_B11：采用PressFIT引脚技术，便于无焊接安装；
FF1MR12MM1HP_B11：在前者基础上预涂TIM材料，提升热传导效率；
FF1MR12MM1HW_B11：集成Wave波浪结构基板，支持直接液冷方案，适用于高热负荷应用。
模块内置NTC温度传感器，实现精准的温控管理；同时具备隔离基板设计，提高系统安全性与可靠性。
该系列模块采用了英飞凌最新的M1H代SiC MOSFET芯片，具有以下显著技术优势：
低开关损耗：支持更高开关频率（>7kHz），有助于减小磁性元件体积，提升系统功率密度；
卓越的栅极氧化层可靠性：确保长期稳定运行；
更高的栅极阈值电压：增强了抗干扰能力与误触发防护；
优化的体二极管性能：在反向恢复过程中表现优异，降低损耗；
宇宙射线稳健性：适用于户外或高空环境下的高可靠性场景；
最大工作结温达175°C：具备良好的过载耐受能力。
此外，模块采用螺母式功率端子，增强连接稳固性，并通过PressFIT引脚简化PCB装配流程，降低制造成本。
得益于其高频、高效与高可靠性的综合优势，该模块可广泛应用于以下领域：
储能系统：满足快速充放电对功率器件的要求；
通用电机驱动器：适用于变频、变压控制场合；
不间断电源（UPS）：提升能源转换效率，延长备用时间；
暖通空调（HVAC）与电机控制：优化压缩机等关键部件的能效；
电动汽车充电设备：支持更高功率密度的充电桩设计；
商用车辆、工程车辆及农用车辆：适应复杂工况下的电驱系统需求。
英飞凌此次推出的CoolSiC MOSFET模块不仅延续了其在宽禁带半导体领域的领先优势，更通过模块化设计与先进散热方案的融合，为工程师提供了灵活且高效的功率解决方案。随着全球对节能与可持续发展的要求日益提升，这一系列模块有望在新能源、智能制造和智能交通等领域发挥更大作用。
注：我司是代理销售英飞凌旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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