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近日，英飞凌科技正式发布基于CoolSiC™技术的Easy B系列2kV SiC MOSFET模块，包括FF6MR20W2M1HB70和F3L6MR20W2M1HB70两款型号。该系列产品采用先进的宽禁带（WBG）半导体材料，结合高性能氮化铝陶瓷DCB基板，旨在为新能源、电动汽车及工业电源系统提供更高效率、更高可靠性的功率解决方案。
此次推出的Easy B系列模块基于英飞凌成熟的EasyDUAL™和EasyPACK™封装平台，集成NTC温度传感器和PressFIT触点技术，高度仅为12毫米，具备紧凑设计与高集成度优势，适用于多种高密度功率转换应用场景。
从技术参数来看，该模块采用了增强型第一代M1H芯片，具有极低的导通与开关损耗，并支持最高175°C的过载运行温度。其栅源电压范围较宽，有助于提升驱动兼容性与稳定性。此外，模块内部结构优化设计显著降低了杂散电感，从而进一步改善高频切换下的电磁干扰表现，实现更高效的能量转换。
在应用层面，这款SiC MOSFET模块特别适用于直流-直流变换器、电动汽车充电设备、光伏逆变器以及储能系统等场景。由于其出色的电气性能和热管理能力，能够有效提升系统整体效率，降低对散热系统的要求，同时支持更高的工作频率与功率密度，助力终端设备实现小型化、轻量化设计。
值得一提的是，新模块所搭载的高性能氮化铝（AlN）DCB基板不仅提升了热传导效率，还增强了长期运行的稳定性，有利于延长系统使用寿命或在高功率条件下保持稳定运行。这一特性使其成为1500V直流母线系统的理想匹配方案，满足当前高端能源基础设施对高压、高效、高可靠性日益增长的需求。
英飞凌表示，此次扩展其2kV产品组合，意在为客户提供可扩展的功率模块平台，适配更多复杂工况下的多样化需求。随着碳化硅器件在新能源领域的持续渗透，该系列产品的推出将进一步巩固英飞凌在宽禁带功率半导体市场的领先地位，也为客户在系统设计中带来更大的灵活性与竞争优势。
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