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帝奥微推出国内首款超低漏电高速开关DIO3749,赋能光通信系统性能升级

来源:帝奥微| 发布日期:2025-06-10 14:18:35 浏览量:

在AI与云计算推动数据流量爆发式增长的当下,光通信作为高速信息传输的核心技术,正面临更高带宽、更低功耗和更远传输距离的挑战。尤其是在接收端对微弱光信号的处理中,如何实现高精度检测成为关键。为此,江苏帝奥微电子股份有限公司近日正式发布国内首款超低漏电流、高性能模拟开关DIO3749,标志着国产高速开关器件在光通信应用领域迈出重要一步。

超低漏电+高频带宽,满足高端光通信需求

DIO3749是一款SPDT(单刀双掷)高速模拟开关,具备1.8V至5.5V宽工作电压范围,-3dB带宽高达2GHz,导通电阻平坦度仅为0.05Ω,并支持最大1μA的极低功耗运行。其核心亮点在于全温度范围内信号侧开启与关断漏电流均低于350pA,显著优于现有市场主流产品,特别适用于对漏电敏感的高精度信号切换场景。

该器件采用SC70-6小型封装形式,控制端口逻辑高电平阈值为0.77V,兼容1.2V数字接口,便于与各类控制器或FPGA连接,广泛适配于工业级工作温度范围(-40℃~85℃),具备出色的环境适应性。

帝奥微推出国内首款超低漏电高速开关DIO3749

针对光信号检测优化设计,提升系统稳定性

在典型的光通信系统中,跨阻放大器(TIA)用于将光电探测器输出的微弱电流信号转换为电压信号。由于光强变化幅度大,系统通常需要通过开关切换不同增益路径,以确保后级ADC能够准确采样。

DIO3749凭借其超低漏电流特性,在弱光条件下可有效避免因漏电引入的误差电流,从而提高小信号测量的准确性;而在强光情况下,其高速响应能力保障了动态增益调整的实时性与稳定性。此外,该开关内部采用了专利化的低寄生电容与ESD设计方案,不仅提升了高频性能,也增强了抗干扰能力,使其在光放大器、中继器以及医疗色谱仪等精密仪器中同样表现出色。

国产替代迈出关键步伐

目前,高速模拟开关市场仍主要被国际厂商主导,尤其在高端光通信、测试测量等领域,国产方案存在明显空白。DIO3749的推出填补了国内在超低漏电、高频模拟开关方面的技术短板,为国产光模块、光芯片配套提供了可靠的选择。

帝奥微表示,未来将持续加大在高速模拟开关领域的研发投入,进一步拓展多通道、负压、CSP封装及低功耗系列产品线,助力构建自主可控的光通信生态系统。

此次DIO3749的面世,不仅是帝奥微在高性能模拟芯片领域的重要突破,也为我国高端光通信系统的国产化替代注入了新动能。

注:我司是代理销售帝奥微旗下全系列IC电子元器件,如需帝奥微产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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