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BSP75N低侧IntelliFET® MOSFET:高集成度、自保护型开关器件解析

来源:中芯巨能:提供选型指导+样片测试+现货供应| 发布日期:2025-06-17 10:00:02 浏览量:

BSP75N是由Diodes公司推出的一款单片集成式低侧IntelliFET® MOSFET,具备多重自保护机制和逻辑电平输入能力。作为一款历经25年市场验证的功率开关器件,其在工业控制、汽车电子及通用电源系统中广泛应用,凭借其高可靠性与多功能集成特性,成为工程师实现负载管理的理想选择。代理销售Diodes旗下全系列IC电子元器件-中芯巨能为您介绍BSP75N:产品特征及应用优势。如需BSP75N产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

高集成度与全面保护功能设计

BSP75N不仅是一款N沟道MOSFET,更集成了多项智能保护机制,包括过热保护(带自动重启)、过流保护、短路保护、ESD静电防护、有源箝位过压保护以及Load-Dump负载突降保护等关键功能。这些保护机制均以单片形式集成于芯片内部,无需外部元件即可实现对负载和系统的全面保护。

该器件采用逻辑电平输入设计,兼容3.3V与5V微控制器(µC)直接驱动,简化了与数字控制电路的接口设计。此外,其高连续电流额定值支持较大功率负载的稳定运行,适用于驱动电机、继电器、LED灯组等多种类型负载,尤其适合存在高浪涌电流的应用场景。

BSP75N

封装与电气性能优势

BSP75N采用SOT223封装,具有良好的散热性能,适用于高温或恶劣环境下的长期运行。其最大工作电压可达36V,适用于12V、24V标准直流系统,并能有效应对因负载突变引起的电压瞬态冲击。尽管后续产品已推出更低RDS(ON)与更低输入电流的优化版本,但BSP75N由于其成熟的设计与稳定的供货能力,仍在众多应用中保持主力地位。

值得一提的是,该器件还提供SOT23F封装版本,进一步缩小PCB布局空间,适用于对体积敏感的设计需求。

典型应用场景分析

BSP75N因其多功能集成与自保护特性,广泛应用于以下领域:

电机与灯具驱动:可承受启动时的大电流冲击,避免因瞬态过载导致系统故障。

通用负载开关:适用于阻性、感性与容性负载的控制,提升系统稳定性。

嵌入式控制系统:如3.3V/5V微处理器平台中的执行器控制,简化外围电路。

替代传统继电器:相比机电继电器,BSP75N无机械磨损,寿命更长,响应速度更快,且易于集成。

结语

作为一款久经考验的功率开关IC,BSP75N凭借其高度集成、自恢复能力强、易用性好等特点,在工业自动化、车载电子、消费类设备等多个领域持续发挥价值。对于需要高可靠性和快速部署的工程项目而言,BSP75N仍然是一个值得推荐的标准化解决方案,为工程师提供了一种兼顾性能与成本的高效开关实现方式。

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