Diodes发布高性能SiC二极管，助力高效能电源系统设计升级

来源：Diodes| 发布日期：2025-05-09 10:03:56 浏览量：

2025年5月9日，全球领先的分立、逻辑及模拟半导体制造商Diodes公司（Nasdaq: DIOD）宣布推出全新650V碳化硅（SiC）肖特基二极管产品线——DSCxxA065LP系列。该系列产品涵盖五种电流等级（4A至12A），采用高热效率的T-DFN8080-4封装，专为高效率开关电源应用而设计，适用于如DC/DC转换器、AC/DC电源、可再生能源系统、工业电机驱动以及日益增长的人工智能数据中心等关键领域。

随着人工智能和高性能计算对能源效率提出更高要求，传统硅基器件在高频、高功率密度场景中逐渐显现出性能瓶颈。为此，Diodes推出的DSCxxA065LP系列通过优化材料特性与封装结构，实现了业界领先的质量因数（FoM = QC × VF），显著提升系统整体能效。

低损耗设计，提升电源效率

该系列碳化硅二极管具备近乎理想的开关特性，无反向恢复电流，同时拥有极低的电荷容量（QC），有效降低了高频工作下的开关损耗。此外，其正向压降（VF）表现优异，进一步减少传导损耗，提高能量转换效率，使其特别适合用于高速开关电路设计。

在漏电流控制方面，DSCxxA065LP系列的最大反向漏电流仅为20µA，远低于同类硅基器件。这不仅有助于降低系统的热耗散，还提升了长期运行的稳定性和可靠性，尤其适合高温或高负载环境下的应用场景。

紧凑封装实现高功率密度

DSCxxA065LP系列采用T-DFN8080-4表面贴装封装（典型尺寸为8mm x 8mm x 1mm），内部集成大面积散热焊盘，显著降低热阻，提升散热效率。相比传统的TO252（DPAK）封装，该方案占用更少PCB面积的同时，提供更强的热管理能力，有助于工程师实现更高功率密度的设计目标，并降低冷却系统的成本投入。

目前，该系列产品已开放批量订购，标准包装数量为2500件每箱，型号包括DSC04A065LP（4A）、DSC06A065LP（6A）、DSC08A065LP（8A）、DSC10A065LP（10A）和DSC12A065LP（12A）。

在绿色能源与高效电源趋势推动下，Diodes此次发布的碳化硅二极管系列，无疑为下一代电源系统提供了更加可靠且高效的解决方案选择。

注：我司是代理销售Diodes公司旗下全系列IC电子元器件，如需产品规格书、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。

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