Vishay 推出 Gen 4.5 650V E 系列 MOSFET，助力高效电源转换

近日，Vishay 推出了全新的 Gen 4.5 650V E 系列功率 MOSFET，为通信、工业和计算应用带来了更高的效率和功率密度。与上一代产品相比，该系列中的 N 沟道 SiHK050N65E 型号在导通电阻方面实现了显著降低，降幅达到 48.2%，同时其电阻和栅极电荷乘积（FOM）——这一在功率转换应用中至关重要的优值因数——也降低了 65.4%。

Vishay 的多种 MOSFET 技术能够支持电源转换过程的所有阶段，从高压输入到高科技设备所需的低压输出。SiHK050N65E 以及 Gen 4.5 650V E 系列中的其他器件，能够满足电力系统架构中功率因数校正（PFC）和 DC/DC 转换器模块这两个早期阶段对效率和功率密度的改进需求。这些器件的典型应用包括服务器、边缘计算和超级计算机、UPS、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器、通信开关模式电源（SMPS）、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热系统、电动驱动和电池充电器等。

SiHK050N65E 基于 Vishay 最新的高能效 E 系列超结技术，能够在 10V 下实现低至 0.048Ω 的典型导通电阻，适用于超过 6kW 的高功率应用。此外，该 650V 器件的击穿电压额外增加了 50V，使其能够在 200VAC 至 277VAC 的输入电压范围内稳定工作，并符合开放计算项目的开放机架 V3（ORV3）标准。其超低的栅极电荷仅为 78nC，提供了优越的 FOM 值 3.74mΩ·nC，这对于减少导通和开关损耗至关重要，从而进一步节省能源并提升效率，使器件能够满足服务器电源中特定的钛效率要求，或者达到 96% 的峰值效率。

为了在硬开关拓扑（如 PFC 电路和双开关前馈设计）中优化开关性能，新发布的 MOSFET 具备较低的有效输出电容值，Co(er) 为 167pF，Co(tr) 为 1119pF。器件在电阻乘以 Co(er) 的 FOM 上达到了业界新低的 8.0mΩ·pF。SiHK050N65E 采用 PowerPAK®10×12 封装形式，并配备 Kelvin 连接以降低栅极噪声，同时提高 dv/dt 的抗扰性。此外，该 MOSFET 符合 RoHS 标准且无卤素，经过特别设计以承受雪崩模式下的过压瞬态，100% 的 UIS 测试保证了其极限值。

Vishay 的 Gen 4.5 650V E 系列功率 MOSFET 的推出，为通信、工业和计算应用提供了更高效、更高功率密度的解决方案。SiHK050N65E 型号凭借其显著降低的导通电阻和 FOM，以及优化的开关性能，能够满足多种应用对效率和功率密度的严格要求，为电源转换过程的各个阶段提供了可靠的支持。

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