华略微HM013DNG技术参数详解及应用指南 附引脚图

HM013DNG是华略微（HeroMicro）双通道N沟道MOSFET，此型号凭借其卓越的电气性能和高集成度，已成为高效电源设计中的明星器件。该产品采用先进的高密度沟槽技术，专为降低损耗、提升功率密度而打造，适用于从消费电子到工业控制的广泛领域。

核心技术参数解析：

HM013DNG的核心优势在于其超低导通电阻（RDS(ON)）。在VGS=10V、ID=10A的测试条件下，其典型值仅为9mΩ，最大值不超过13mΩ；即使在较低的4.5V逻辑电平驱动下（ID=5A），RDS(ON)也仅为21mΩ（最大值）。这一特性极大地减少了导通状态下的功率损耗，是实现高能效转换的关键。同时，器件具备极低的栅极电荷（Qg典型值为8nC），配合快速的开关特性（开启延迟4ns，关断延迟20ns），有效降低了高频开关应用中的动态损耗。

在可靠性方面，HM013DNG表现同样出色。其绝对最大额定值包括30V漏源电压（VDS）、±20V栅源电压（VGS），以及在TA=25℃时高达9A的连续漏极电流。其脉冲漏极电流（IDM）能力可达36A，并能承受17mJ的单脉冲雪崩能量（EAS），确保在瞬态过载或感性负载切换等严苛工况下的安全运行。内置的体二极管具有快速反向恢复特性（Trr典型值7ns，Qrr为5.9nC），进一步优化了在同步整流等拓扑中的性能。

封装与热管理：

该器件采用SOP-8D封装，通过优化的引线框架设计提供了优异的散热能力，其结到环境的热阻（RθJA）为57℃/W。合理的PCB布局，如使用大面积铜箔连接散热焊盘，可显著提升其持续工作电流能力。

下图是HM013DNG引脚图及原理图

典型应用场景：

得益于其双通道、低RDS(ON)和高效率的特性，HM013DNG的理想应用包括：

DC-DC转换器：作为高边和低边开关，用于笔记本电脑、服务器VRM及便携设备的降压（Buck）电路。

电池管理系统（BMS）：用作充放电路径的保护与控制开关。

电机驱动：构成H桥电路，驱动小型直流电机或步进电机。

负载开关：为USB端口、外围设备等提供受控的电源分配。

LED驱动：在恒流或PWM调光电路中作为高效的功率开关。

目前，HM013DNG已实现大规模量产，标准包装为3000颗/卷，并提供符合环保要求的绿色版本，是工程师在追求高性能与紧凑设计时的理想选择。

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