英飞特与英飞凌携手，GaN技术驱动LED电源革新

在全球低碳化背景下，提升能源利用效率成为各行业的首要任务。照明领域消耗了全球约15%的电力，作为照明系统“心脏”的LED驱动电源，其能效和可靠性直接影响整体能耗和产品寿命。行业面临的关键挑战是如何在确保高可靠性的同时，实现电源的节能化、小型化与经济化。这一难题的解决，得益于第三代半导体材料氮化镓（GaN）技术的成熟应用。

深度协作：1+1>2的双赢模式

英飞特电子凭借深厚的行业积累，成功实现了新一代GaN LED驱动电源的规模化量产。在此过程中，英飞凌CoolGaN™系列功率晶体管，特别是700V型号IGD70R200D2S，提供了至关重要的核心器件支撑。双方通过优质供应链资源结合自主核心技术，共同突破了GaN在照明领域的产业化瓶颈，树立了高效、轻量、可靠电源的新标杆。

英飞特电子全球研发负责人任明明表示：“我们与英飞凌的合作旨在以更高效、更可靠的电源驱动技术服务全球客户，期待通过深度协同，在照明领域持续突破，推动行业向更节能、更高品质的方向迈进。”

为什么选择GaN？性能跃升的物理基础

GaN作为一种宽禁带半导体材料，具备高频、高效的物理优势，是实现电源“小型化”与“高能效”革命的关键。然而，要将这些优势转化为稳定可靠的产品，必须克服驱动复杂、瞬态冲击敏感等工程难题。

英飞凌IGD70R200D2S的高性能特性包括：

700V高耐压与低至毫欧级的导通电阻（RDS(on)），确保高压应用下的低导通损耗；

纳秒级超快开关速度（开启延迟7ns，关闭延迟9ns），使电源系统能够工作在更高频率，从而提升整体效率并减小无源器件尺寸。

从器件到系统：让GaN从“能用”到“好用”

英飞特通过深入的器件理解和系统设计，将英飞凌IGD70R200D2S的卓越性能转化为终端优势。目前，英飞特已在IT 0-10 P67（200W/320W）系列中规模化量产搭载该器件的电源。前级PFC电路采用IGD70R200D2S，直接带来了效率与功率密度的显著提升。

例如，IT 0-10 P67（320W）产品的体积较前代减少了40%，重量降低了30%，极大便利了安装、运输与灯具的工业设计。

核心价值兑现：数据背后的客户收益

通过与英飞凌GaN器件的深度协同设计，英飞特电源实现了可量化的性能飞跃：

能效再突破：整机效率最高可达96%，显著降低能源损耗与散热需求，使得终端灯具可以采用更简洁的散热结构，节约材料成本。

体积显著缩小：高频特性允许使用更小的磁芯和电容，提升了电源的小型化水平。

综合性价比提升：系统小型化与高效散热减少了综合物料成本，使客户在获得尖端性能的同时，保持强大的市场竞争力。

英飞凌GaN Transistors IGD70R200D2S：照明升级背后的关键推动力

作为英飞凌CoolGaN™家族的重要成员，IGD70R200D2S为照明应用提供了高度契合的核心能力：

700V高耐压平台，适配主流照明电源架构；

高效率、低损耗特性，助力整机能效持续突破；

支持高频工作的GaN架构，为电源小型化与高功率密度创造条件。

这些特性使其成为英飞特新一代LED驱动电源前级设计的理想选择，并在实际应用中充分释放了GaN的产业价值。

英飞凌GaN技术平台：赋能千行百业

英飞特选择的IGD70R200D2S，源自英飞凌完备的CoolGaN™产品生态。英飞凌提供电压覆盖60V至700V的全系列氮化镓晶体管，凭借极低的开关损耗、多样的封装选择（如PG-TO252-3-U03）及严格认证，不仅满足照明需求，更广泛应用于对效率、功率密度和可靠性有极致要求的人工智能数据中心、电动汽车、可再生能源、消费电子等前沿领域，助力客户实现系统的高频化、小型化与节能化。

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