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IGLT65R055B2是英飞凌近日发布的新品，属于英飞凌第五代CoolGaN™ 650V双向开关（BDS）系列，采用采用TOLT封装，首次实现单芯片双向主动阻断能力，可直接替代传统由四颗分立MOSFET组成的背对背结构，大幅简化电路设计，降低系统成本，为光伏逆变器、服务器电源和电机驱动等应用带来全新可能。英飞凌代理、原厂货源-中芯巨能为您提供IGLT65R055B2详细参数详解、应用领域、规格书及现货。
传统GaN器件多为单向导通，若需实现双向电流控制（如AC/DC或双向DC/DC变换），通常需两个GaN HEMT背靠背连接，配合复杂的驱动与隔离电路。这不仅增加BOM成本，还占用更多PCB空间，并引入额外寄生参数，影响高频性能。
而CoolGaN™ G5 BDS通过共漏极集成架构，在单一芯片内实现双向电压阻断与电流控制，支持正反向均能主动关断，无需体二极管续流，从根本上避免反向导通损耗。
单芯片替代四器件：省去两颗GaN管+两路驱动，减少至少4个功率器件及配套栅极电阻、自举电容等，BOM成本降低30%以上；
超低Qg与Qoss：栅极电荷与输出电荷极低，显著降低开关损耗，尤其适合高频（>100 kHz）软开关拓扑；
跨温稳定RDS(on)：导通电阻在-40°C至150°C范围内波动极小，确保全工况下效率一致；
集成衬底电压控制：提升可靠性，防止动态导通失效；
TOLT封装：顶部散热设计，热阻低，支持高功率密度布局。
该器件特别适用于需要双向能量流动或简化桥臂结构的场合：
光伏逆变器：单相/三相组串式及微型逆变器中，用于无变压器隔离的双向DC/AC级，提升转换效率至98%以上；
服务器电源：在图腾柱PFC或双有源桥（DAB）拓扑中，简化同步整流侧设计；
电机驱动：支持再生制动能量回馈，提升系统能效；
储能系统：实现电池与母线间的高效双向充放电管理。
对于电源工程师而言，CoolGaN™ BDS不仅意味着性能提升，更带来开发便利：
驱动逻辑简化，无需复杂死区与负压管理；
PCB布局面积减少40%，利于小型化设计；
兼容现有GaN驱动IC（如1EDF系列），无需重新选型；
已通过JEDEC标准认证，满足工业级可靠性要求。
如需IGLT65R055B2产品规格书、样片测试、采购、订购等需求，请加客服微信：13310830171。
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