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AOSP36326C 是Alpha & Omega Semiconductor（AOS）一款采用 SO-8 封装 的 30V、12A N 沟道增强型 MOSFET，基于先进沟槽工艺，具备 超低导通电阻 与 高电流能力，适用于 DC/DC 转换器、负载开关及电机驱动等中功率应用。AOS代理商-中芯巨能为您提供AOSP36326C ：中文参数、引脚图、规格书及现货。
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：542 pF @ 15 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-SOIC
计算与服务器领域的 POL（负载点）电源；
工业与通信设备的隔离型 DC/DC 转换器；
高边/低边开关或 OR-ing 电路。
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AON7524 是Alpha & Omega Semiconductor（AOS）一款采用 DFN 3×3 EP 封装 的 30V N 沟道增强型 MOSFET，基于其先进的 AlphaMOS（αMOS LV） 工艺，具备超低导通电阻、高电流能力及优异的开关特性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等高效率功率应用。01、关键电气参数（TJ = 25°C）漏...【详情+】
AO4822A 是Alpha & Omega Semiconductor（AOS）一款采用 SOIC-8 封装的 30V 双 N 沟道增强型 MOSFET，专为高效率 DC-DC 转换器中的 同步整流（SR） 和 负载开关 应用而优化。其低导通电阻、低栅极电荷及集成 ESD 保护特性，使其成为便携设备、服务器 VRM 及工业电源中理想的选择。核心电...【详情+】
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