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2026年4月15日，新唐科技宣布将量产一款波长为402 nm、输出功率达4.5 W的高功率紫色半导体激光器，封装采用标准TO-9 CAN（直径9.0 mm），创下该波段与封装组合下的业界最高连续波（CW）光输出纪录。相较其前代产品KLC432FL01WW（3.0 W），性能提升达1.5倍，显著增强在先进半导体封装、无掩模曝光及汞灯替代等关键领域的应用能力。
该突破得益于新唐在2026年1月推出的379 nm紫外激光器中验证的两大核心技术：高光电转换效率器件结构与高散热一体化封装设计。针对402 nm紫光激光器因短波长易引发端面劣化、热管理难度大等固有挑战，新唐通过独创的激光腔面保护膜技术，有效抑制高功率运行下的光学损伤，同时采用高导热材料一体成型封装，大幅提升散热效率，实现高输出与高可靠性的兼顾。
在应用场景上，该产品精准切入快速增长的先进半导体封装市场。随着AI芯片对高密度互连需求激增，基于激光直写（LDI）的无掩模曝光技术因其无需掩模、支持动态翘曲校正、开发周期短等优势，正成为主流工艺路径。而402 nm波长恰好匹配主流感光材料对汞灯h线（405 nm）的响应特性。结合此前发布的379 nm（对应i线）产品，新唐现已构建覆盖i线/h线的完整紫光激光光源方案，全面支持多种光刻胶体系，助力设备厂商提升生产通量。
此外，该激光器亦是新唐“汞灯替代解决方案”的重要一环。传统汞灯在光固化、3D打印、生物医疗、精密打标等领域长期占据主导，但存在能耗高、寿命短、含汞污染等问题。402 nm半导体激光器不仅环保、寿命长，其高功率特性更可推动工艺提速乃至催生新型光应用，为客户在光源选型上提供高性能、可持续的新选项。
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