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在全球能源转型与电气化交通加速推进的背景下，高压大功率半导体器件正成为特高压输电、轨道交通和工业驱动系统的核心“引擎”。近日，英飞凌科技（Infineon）正式推出基于第四代沟槽栅场截止技术（IGBT4）的IHV-A系列6500V/675A IGBT模块（型号：FZ675R65KE4），以业界同封装下最高电流密度、超低导通损耗与-55°C宽温可靠性，为高压直流输电（HVDC）、中压变频及牵引传动等关键领域提供新一代功率解决方案。
该模块的核心在于其采用的IGBT4沟槽栅场截止技术，相较前代产品显著降低饱和压降（VCEsat），在675A额定电流下导通损耗减少约10%。这意味着在相同散热条件下，系统可承载更高功率，或在同等功率下缩小冷却系统体积，直接推动逆变器向高功率密度、小型化演进。
更关键的是，FZ675R65KE4首次在6.5kV平台引入铝碳化硅（AlSiC）基板。相比传统DBC陶瓷基板，AlSiC具备更高热导率（≈180 W/mK）与更匹配硅芯片的热膨胀系数（CTE），大幅缓解热循环应力，提升模块在频繁启停或极端温度下的长期可靠性。其存储温度下限达-55°C，满足高寒地区轨道交通与户外HVDC站的严苛环境要求。
此外，模块采用CTI>600的高CTI封装材料，显著增强高压绝缘性能，有效防止潮湿或污染环境下的表面爬电，保障6.5kV系统安全运行。
FZ675R65KE4沿用130mm标准IHV封装，兼容现有驱动与散热结构，使客户无需重新设计机械平台即可升级至更高功率等级。英飞凌强调，在相同逆变器尺寸内，该模块可提升输出功率达15%以上——这对空间受限的机车牵引变流器或紧凑型工业中压驱动器而言，意味着更强的过载能力或更低的系统成本。
在HVDC应用中，电压源换流器（VSC）对开关器件的动态均压与热稳定性要求极高。IGBT4的软关断特性配合AlSiC基板的优异热管理，有效抑制电压过冲与热失控风险，提升多模块并联运行的一致性。
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