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在高性能锁相环(PLL)系统中,电源噪声已成为限制相位噪声性能的关键因素,尤其当VCO增益(KVCO)和推压系数(Kpushing)较高时。本文从工程实践角度,解析PLL各模块的电源管理要点,并提供可落地的低噪声供电方案。
VCO对电源波动极为敏感,其推压系数Kpushing(单位:Hz/V)决定了电源噪声被放大为频率抖动的程度。以ADF4350为例,实测Kpushing约为2.7 MHz/V。根据相位噪声贡献公式:

若要求LDO在100 kHz偏移处对–116 dBc/Hz的VCO噪声无显著劣化,则LDO噪声谱密度需 ≤11.2 nV/√Hz。这解释了为何ADP150(9 µV RMS)优于ADP3334(27 µV RMS)——前者噪声足够低,可视为“无噪”源。
工程建议:
优先选用超低噪声LDO(如ADP150、LT3045);
若成本受限,可在LDO后加LC π型滤波器(如1 µH + 10 µF),可额外衰减20 dB高频噪声;
注意电感饱和电流(ISAT)与ESR:300 mA负载下,ESR应 <0.33 Ω,避免IR压降过大。
当VCO调谐电压 >5 V时,传统电荷泵需配合有源滤波器或采用高压电荷泵IC(如ADF4150HV,支持30 V)。但若使用升压DC-DC为电荷泵供电,其开关纹波会通过电源抑制比(PSR)耦合至VCO输出,产生杂散。
实测表明(图1):

图1.ADF4150HF电荷泵电源抑制曲线图
PLL环路带宽内(如80 kHz),PSR仅约50 dB;
带宽外(>1 MHz),PSR提升至>70 dB。
因此,升压转换器开关频率应 >1 MHz(如ADP1613 @1.3 MHz),并将纹波控制在20 mVp-p以内。通过100 nF陶瓷电容在1.3 MHz可提供>20 dB衰减,有效抑制杂散。
对比实验:使用ADF4150HV高压电荷泵 + 无源滤波器,相比传统有源滤波器方案,杂散降低40–45 dB(图2),证明高压电荷泵是更优选择。

图2.有源环路滤波器与高压无源滤波器的电源纹波电平
PLL的数字逻辑(DVDD)和RF偏置(AVDD)通常基于带隙基准或ECL结构,对电源噪声不敏感。建议:
选用通用低噪声LDO(如ADP1740);
去耦采用100 nF + 10 pF并联,覆盖高频与低频噪声;
无需复杂滤波,重点在于PCB布局:电源引脚就近去耦,避免与高噪声路径交叉。
| 模块 | 关键要求 | 推荐方案 |
|---|---|---|
| VCO电源 | 超低噪声(<15 nV/√Hz) | ADP150 + LC滤波 |
| 电荷泵 | 高压、低纹波、高PSR | ADF4150HV + 1.3 MHz升压 + 去耦 |
| AVDD/DVDD | 中等噪声,良好去耦 | 通用LDO + 100nF/10pF |
通过分层供电+针对性滤波,工程师可在不牺牲性能的前提下,平衡成本与复杂度,实现高性能PLL设计。
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