英飞凌推1200V CoolSiC™ M1H模块，重塑电驱系统功率密度新标杆

在全球电动化与能源效率升级的双重驱动下，碳化硅（SiC）功率器件正从“可选项”变为“必选项”。近日，英飞凌（Infineon）正式推出基于CoolSiC™ M1H技术的EasyDUAL™ 2B 1200V半桥模块（型号：FF4MR12W2M1HP_B11_A），以4mΩ超低导通电阻、12mm超薄封装及AQG324车规认证三大核心优势，为电动汽车电驱、航空电气化及高密度电源系统树立了新一代性能标杆。

技术突破：M1H平台实现性能与可靠性的双重跃升

该模块采用英飞凌最新CoolSiC™ M1H MOSFET芯片，在延续M1代高开关速度与低损耗特性的基础上，进一步优化了体二极管稳健性与栅极驱动兼容性。其4mΩ导通电阻（RDS(on)）在1200V SiC模块中处于业界领先水平，显著降低导通损耗，尤其在高频开关（>50kHz）场景下，系统效率提升可达2–3个百分点。

尤为关键的是，该模块通过AQG324汽车级可靠性认证，满足电动汽车对功率器件在高温、高湿、强振动环境下的严苛要求，为800V高压平台电驱系统提供高鲁棒性保障。

封装创新：无基板+预涂TIM，推动系统轻量化与紧凑化

EasyDUAL™ 2B模块采用无DBC基板设计，大幅削减寄生电感与热阻，同时将整体厚度压缩至仅12mm，成为当前同级别半桥模块中最薄产品之一。这一设计不仅减轻重量，更便于在空间受限的电驱逆变器或OBC中实现高功率密度布局。

此外，模块出厂即预涂高性能导热界面材料（TIM），省去客户手动涂覆工序，提升产线一致性与散热可靠性；引脚支持PressFIT压接或传统焊接两种方式，兼顾自动化装配效率与维修灵活性。集成的NTC温度传感器则为实时热管理提供精准反馈，防止过热失效。

应用价值：从电驱到数据中心，全场景赋能高效能源转换

该模块主要面向以下高增长领域：

电动汽车电驱系统：适配800V平台，支持高开关频率，减小无源器件体积，提升续航；

车载充电机（OBC）与直流快充桩（EVC）：高效率与高可靠性助力缩短充电时间；

服务器/UPS电源：在48V–800V宽输入范围内实现高功率密度AC/DC或DC/DC转换。

据测算，在典型150kW电驱应用中，采用该模块可使逆变器体积缩小15%以上，系统效率提升至98.5%+，同时降低冷却系统复杂度。

供应链优势：垂直整合加速客户导入

依托英飞凌对SiC衬底、外延、芯片制造到模块封装的全链路掌控能力，CoolSiC™ M1H系列产品具备稳定产能与快速交付优势。结合成熟的参考设计与仿真工具，客户可将开发周期缩短30%以上，加速产品上市。

行业意义：SiC进入规模化落地深水区

随着800V高压架构在高端电动车中快速普及，市场对高耐压、低损耗、车规级SiC模块的需求激增。英飞凌此次推出的EasyDUAL™ 2B模块，不仅在性能参数上实现突破，更通过封装集成与认证完备性，解决了工程师在热管理、EMI抑制、生产良率等落地环节的核心痛点。

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