长晶科技推1200V IGBT半桥模块，剑指光伏储能核心赛道

在全球能源结构加速向清洁化、智能化转型的背景下，光伏逆变器与储能变流器（PCS）对功率半导体器件的效率、可靠性及成本控制提出了更高要求。作为电力电子系统的“智能开关”与“能量枢纽”，IGBT模块的性能直接决定整个能源转换链路的效能边界。近日，长晶科技基于自研FST G3.0工艺平台，正式推出1200V IGBT半桥模块系列（MCF450N120T3E3、MCF600N120T3E3、MCF900N120T3E3），以高功率密度、低损耗和强环境适应性，切入光伏与储能核心应用场景。

自主芯片+系统级协同，打造高效可靠方案

该系列产品采用长晶科技自主研发的FST 3.0 IGBT芯片，覆盖450A、600A、900A三种主流电流等级，全面适配组串式逆变器、集中式PCS及大型储能系统需求。尤为关键的是，长晶科技同步联合国内头部驱动厂商，推出参数定制化驱动板，并提供配套调试支持，实现“芯片-模块-驱动”全链路协同优化，显著降低客户开发门槛与系统集成风险。

在电性性能方面，FST 3.0平台通过微沟槽栅结构（1.6μm Pitch）与场截止技术，优化载流子分布与发射极效率，在高温工况下实现更低的饱和导通压降（VCE(sat)）。实测数据显示，在IC=900A、VGE=15V条件下，MCF900N120T3E3的VCE(sat)较国际主流竞品第七代产品降低5%～6%，大幅削减导通损耗，提升系统在高温环境下的持续输出能力。

开关性能与系统效率的精准平衡

在开关特性上，长晶科技通过优化栅极电荷（Qg）设计，在关断损耗（Eoff）之间取得更优平衡。双脉冲测试表明，在TJ=150℃、VCE=600V的严苛条件下，其Eoff表现稳定，有效缓解散热系统压力，同时提升对不同栅极驱动方案的兼容性。

值得关注的是，该系列产品在综合优值（FOM = VCE(sat) × Eoff × 芯片有源面积）上展现出显著优势——更低的FOM意味着在同等性能下可使用更小芯片面积，从而兼顾高性能与成本竞争力，为国产替代提供更具性价比的选择。

国产IGBT迈向高阶应用

当前，光伏与储能市场对IGBT模块的需求正从“可用”转向“高效、高可靠、高集成”。长晶科技此次推出的1200V半桥模块不仅在关键参数上对标国际先进水平，更通过垂直整合与本地化服务响应，加速国产功率器件在高端能源装备中的落地进程。

随着“双碳”目标持续推进，高效率、高功率密度的IGBT模块将成为新型电力系统的关键基石。长晶科技以FST 3.0平台为支点，正推动国产IGBT从替代走向引领，为中国新能源产业链注入更强“芯”动能。

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