意法半导体推65W GaN集成反激芯片，加速高密度快充普及

意法半导体（ST）近日正式发布 VIPerGaN65W——其VIPerGaN系列的最新成员，一款面向USB-PD及快充市场的65W反激式功率转换器。该器件在 5mm × 6mm QFN封装内单片集成了700V氮化镓（GaN），无需外部驱动电路即可实现高效、静音、高功率密度的AC/DC电源设计，为消费电子和工业辅助电源提供极具竞争力的“一体化”解决方案。

单芯片集成，简化65W快充设计

与前代VIPerGaN50W一脉相承，VIPerGaN65W延续了ST在高压集成领域的技术优势。其核心亮点在于将 GaN功率晶体管、准谐振PWM控制器、高压启动电路、电流检测senseFET及全套保护机制 全部集成于单一芯片，大幅减少外围元器件数量。设计工程师无需额外添加栅极驱动器或复杂的缓冲网络，即可充分发挥GaN高频、低损耗的特性，显著缩短开发周期并降低BOM成本。

得益于优化的内部栅极驱动器，该芯片能精准匹配GaN器件的开关特性，在全负载范围内实现 零电压开关（ZVS），有效抑制EMI并提升效率。

智能控制策略，兼顾效率与静音

在能效管理方面，VIPerGaN65W采用多级自适应控制策略：

中高负载：通过“跳谷底”（Valley Skipping）技术动态选择最优开关谷底，平衡效率与频率；

轻载：启用频率折返（Frequency Foldback），限制开关频率以减少损耗；

空载：进入突发模式（Burst Mode），待机功耗 低于30mW，轻松满足CoC Tier 2、DoE Level VI等严苛能效标准。

尤为关键的是，ST独有的 “锁谷底”（Locked Valley）技术可避免谷底切换过程中产生的音频频段振荡，彻底消除传统反激电源常见的“啸叫”问题，确保终端产品静音运行——这对笔记本电脑适配器、桌面充电器等贴近用户的设备至关重要。

全面保护机制，提升系统鲁棒性

相较于普通反激方案，VIPerGaN65W内置多项增强功能：

线路电压前馈：防止输入电压波动导致输出过功率；

动态消隐时间：智能调节关断延迟，最小化开关损耗；

多重保护：包括输入/输出过压、过热关断、欠压锁定（UVLO）等，保障系统在异常工况下的安全。

此外，集成的 senseFET 提供高精度原边电流检测，省去传统电流采样电阻，进一步提升效率与可靠性。

评估板同步上市，加速产品落地

为帮助客户快速验证性能，ST已推出 EVLVIPGAN65WF评估板。该板基于24V/65W隔离式反激拓扑，搭配副边同步整流，支持 90V–265V AC全范围输入，典型峰值效率超93%。开发者可借此平台快速测试动态响应、EMI表现及热性能，大幅缩短从设计到量产的周期。

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