瑞萨电子REXFET-1 MOSFET：大电流应用中的革命性突破

在现代电源设计中，基于PWM的系统和更高的开关频率对功率MOSFET提出了新的挑战：如何在保持优异开关性能的同时，实现尽可能低的导通电阻（RDS(on)）。瑞萨电子通过其最新的REXFET-1工艺，不仅解决了这一难题，还大幅提升了功率密度和系统可靠性。本文将深入探讨REXFET-1的技术创新及其在实际应用中的表现。

核心技术突破：分离栅与超结技术

传统的沟槽型MOSFET在高电流应用中往往面临导通电阻与开关损耗之间的权衡。为了解决这一问题，瑞萨电子在其REXFET-1平台上采用了分离栅结构，并在前几代ANM1/ANM2超结技术的基础上进一步优化。这一创新带来了显著的技术优势：

RON指数提升：从0.36降至0.24，意味着更低的导通电阻，从而减少了导通损耗。

超低导通电阻：有效降低了散热需求，特别适用于需要高功率密度的应用场景。

小型封装下的高功率密度：结合先进的封装技术，如多线键合（multi-wire）和夹片键合（clip bonding），REXFET-1器件能够在紧凑的设计中提供卓越的性能。

降低栅极电荷（QG）和栅极电容：优化了开关特性，减少了开关损耗。

先进封装技术确保高可靠性

除了晶圆级的创新，瑞萨电子还引入了多种先进的封装技术，以确保REXFET-1器件在极端条件下的可靠性和耐用性。例如，TOLL（TO-Leadless）封装不仅减小了封装尺寸，还提高了热效率和电气性能。此外，夹片键合技术的应用进一步增强了器件的机械强度和热稳定性，使其能够满足严格的汽车可靠性标准。

系统级验证：BLDC电机控制中的表现

为了验证REXFET-1的实际应用效果，瑞萨电子在无刷直流电机（BLDC）驱动系统中进行了全面测试。测试中使用了两款REXFET-1产品：100V RBA300N10EANS-3UA02和150V RBA190N15YANS-3UA04，并与市场上主要竞品进行了对比。

在最高60A条件下，分别在10kHz和20kHz的开关频率下进行了结温测试。结果显示，REXFET-1器件的结温表现与最佳竞品相当，甚至在某些情况下优于竞争对手。更重要的是，REXFET-1器件在整个测试过程中表现出较低的电压振荡和尖峰，这有助于减少电磁干扰（EMI），提高系统的整体可靠性。

丰富的封装选项与应用场景

瑞萨电子的REXFET-1系列产品提供了多种封装选择，包括3x3、5x6、TOLL、TOLG、TOLT等，能够满足不同应用的需求。这种灵活性使得设计人员可以在电机驱动、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电器以及其他要求苛刻的应用中，轻松实现更高的效率和功率密度。

具体而言，REXFET-1器件的优势包括：

RSP降低30%：与前几代沟槽工艺相比，实现了更低的导通电阻。

平衡导通损耗与开关损耗：优化了整体系统效率。

强大的抗EMI能力：减少了电压振荡和尖峰，提高了系统的稳定性和可靠性。

历史沿革：瑞萨电子在功率MOSFET领域的持续创新

自1979年日立推出首款垂直型MOSFET以来，瑞萨电子（原日立半导体部门）始终处于功率MOSFET技术的前沿。从2003年为英特尔芯片组推出的首款DrMOS，到近年来在超结技术、倒装芯片封装和铜夹结构方面的突破，瑞萨电子不断创新，推动着功率MOSFET技术的进步。

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