英飞凌发布1400V CoolSiC™ MOSFET，赋能超高压电力电子系统

在光伏、电动汽车充电与储能等高功率应用加速向更高电压平台演进的背景下，英飞凌（Infineon）正式推出 CoolSiC™ 1400V MOSFET G2 系列，采用高爬电距离 TO-247-4引脚封装，为直流母线电压突破1000V的系统设计提供关键支撑。该系列产品不仅延续了碳化硅（SiC）材料在效率与开关速度上的天然优势，更通过增强型封装与电气特性，显著提升系统可靠性与功率密度。

面向1000V+系统的“电压安全垫”

传统1200V SiC器件在1000V直流母线应用中已接近极限，缺乏足够的电压裕量应对瞬态过冲或大电流开关事件。而 1400V额定电压 的CoolSiC™ G2系列则为此类场景提供了关键缓冲——即使在极端工况下出现电压尖峰，系统仍能保持安全运行，避免雪崩击穿风险。

该系列导通电阻（RDS(on)）最低达 11 mΩ（@18V, 25°C），配合极低的开关损耗，使逆变器或DC/DC转换器能在更高开关频率下运行，从而减小磁性元件体积，提升整体效率。同时，其 2 µs短路耐受能力 和 -10V至+25V宽栅极驱动窗口，大幅简化驱动电路设计，并增强对噪声干扰的鲁棒性。

高爬电距离封装：可靠性再升级

尽管电气性能至关重要，但在工业与能源系统中，长期环境可靠性 同样不可忽视。CoolSiC™ G2采用 TO-247-4引脚封装，不仅与现有1200V TO-247-3/4封装引脚兼容，便于设计迁移，更关键的是其优化的引脚间距实现了 更高的爬电距离（creepage distance），有效防止高湿、高污染环境下因表面漏电导致的失效，特别适用于户外光伏逆变器、充电桩等严苛场景。

此外，第四引脚（Kelvin源极）分离了功率回路与驱动回路，显著降低开关振铃，提升高频性能——这对实现兆赫兹级开关的下一代电源架构至关重要。

应用落地：从光伏到快充全面覆盖

目前，该系列已推出五款型号（IMZC140R011M2H 至 IMZC140R038M2H），覆盖11 mΩ至38 mΩ导通电阻范围，满足不同功率等级需求：

组串式光伏逆变器：支持1500V DC输入系统，提升单机功率至300kW以上；

电动汽车直流快充：在350kW+超充桩中，1400V平台可降低电流应力，减少线缆损耗；

储能变流器（PCS）：提高充放电效率，延长电池系统寿命；

工业电机驱动与UPS：利用高开关频率实现更紧凑、更安静的驱动方案。

系统级价值：不止于器件本身

英飞凌强调，CoolSiC™ 1400V G2的核心价值在于 推动系统级创新。更高的母线电压意味着更低的电流，从而允许使用更细的铜线、更小的散热器和更轻的结构件。结合SiC固有的高效率特性，整机功率密度可提升20%以上，同时降低冷却成本。

对于正在从1000V向1500V平台过渡的设计团队而言，该器件提供了一条平滑升级路径——无需彻底重构PCB布局，即可获得显著性能增益。

CoolSiC™ 1400V MOSFET G2 系列产品型号

IMZC140R011M2H

IMZC140R019M2H

IMZC140R024M2H

IMZC140R029M2H

IMZC140R038M2H

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