纳芯微双款车规芯片荣膺2025中国汽车芯片创新成果奖

在汽车“新四化”加速演进的关键阶段，高可靠、高性能的车规级半导体正成为电动化与智能化转型的核心支撑。近日，在中国汽车工业协会（CAAM）公布的 2025中国汽车芯片创新成果奖 名单中，纳芯微电子（Novosense）凭借两款基于自研电容隔离技术的车规芯片——NSI6602B-Q1 隔离式双通道栅极驱动器 与 NSI1311-Q1 隔离电压采样放大器 成功入选，彰显其在高压、高频汽车电子系统中的技术领先性与产业落地能力。

高压高频场景下的“隔离+”硬核突破

随着800V高压平台、碳化硅（SiC）功率器件及400V以上快充系统的普及，电动汽车对隔离驱动与信号采样的精度、速度与抗干扰能力提出前所未有的挑战。纳芯微此次获奖的两款芯片，正是针对这一痛点打造的系统级解决方案。

NSI6602B-Q1 是一款面向 SiC 和高频 MOSFET 的隔离驱动芯片，具备 5.7kVrms 高隔离耐压 与 ±100 kV/µs 共模瞬态抗扰度（CMTI），可在极端电磁环境下稳定工作。其 4A/6A 峰值输出电流、25 ns 传播延迟 与 仅6 ns 的脉宽失真，确保功率开关精准同步，显著降低开关损耗。此外，可编程死区时间 功能支持灵活适配半桥、全桥等多种拓扑，提升系统设计自由度。

另一款 NSI1311-Q1 则聚焦高压侧电压监测，专为电池管理系统（BMS）、OBC（车载充电机）和DC-DC转换器等场景设计。该芯片提供 5kVrms 隔离 与 150 kV/µs CMTI，输入范围覆盖 0.02V 至 2V，固定单位增益下实现 全温域高精度采样。其 400 kHz 带宽 与 82 dB 信噪比（SNR），可实时捕捉母线电压的微小波动，为过压保护、SOC估算和故障诊断提供可靠数据基础。

构建“隔离+”全栈生态，赋能高安全系统架构

这两款芯片的成功并非孤立事件，而是纳芯微 “隔离+”战略 的集中体现。依托成熟的 CMOS+电容隔离工艺平台，公司已构建覆盖 隔离驱动、隔离采样、数字隔离器、隔离接口与隔离电源 的完整产品矩阵，形成从信号链到电源链的一站式隔离解决方案。

在电动汽车领域，该生态可显著提升 主驱逆变器、800V BMS、超充模块 的功能安全等级；在光储充与服务器电源市场，亦能增强系统在高dv/dt环境下的长期可靠性。更重要的是，纳芯微通过 AEC-Q100 认证 与 ISO 26262 流程支持，确保产品满足车规级寿命与失效分析要求。

“‘隔离+’不仅是技术路线，更是系统安全理念。”纳芯微相关负责人表示，“我们正从单一器件供应商，转向为客户提供高集成度、高鲁棒性的隔离子系统。”

在全球汽车供应链重构与中国芯片自主化提速的双重背景下，纳芯微以 底层隔离技术创新+场景化产品定义，正在为下一代智能电动出行筑牢安全基石。此次获奖，既是行业对其技术实力的认可，也预示中国本土半导体企业正从“可用”迈向“可信、可靠、可扩展”的新阶段。

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