W25Q80DV （华邦电子 NOR Flash）中文参数 附引脚图及可选型号

W25Q80DV 是Winbond（华邦电子）一款容量为 8 Mbit（1 MB） 的 3.0V 串行 NOR Flash，凭借 统一4KB扇区结构、Dual/Quad SPI 支持及丰富的安全特性，成为工业控制、消费电子与物联网终端中广泛采用的存储解决方案。

W25Q80DV 中文参数详解

核心规格与性能

W25Q80DV 采用标准 SPI 接口，兼容单线、双线（Dual I/O）和四线（Quad I/O）模式：

最高时钟频率达 104 MHz，在 Quad I/O 模式下等效数据速率高达 416 Mbps，显著提升代码执行（XIP）或数据加载效率；

页编程时间典型值仅 0.8 ms（每页 256 字节），支持快速固件写入；

存储结构划分为 4,096 页 × 256 字节，并提供 统一 4KB 可擦除扇区，便于细粒度管理，同时支持 32KB 和 64KB 块擦除，兼顾灵活性与效率。

低功耗与宽温运行

器件工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V，适配主流 3.3V 系统。在待机状态下，掉电模式电流低至 1 µA，非常适合电池供电设备。其工业级温度范围 –40°C 至 +85°C，确保在严苛环境中长期稳定运行。

安全与保护机制

W25Q80DV 集成多层写保护与安全功能，满足嵌入式系统对数据完整性的要求：

硬件与软件写保护：可锁定顶部或底部存储块，防止意外擦写；

互补阵列保护位（Complement Protect Bit）：增强保护逻辑可靠性；

三个 256 字节安全寄存器：支持一次性编程（OTP）锁存，用于存储唯一密钥、设备序列号或校准数据；

工厂预烧录唯一ID：便于设备识别与防伪；

支持挂起/恢复操作（Suspend/Resume）：允许在擦除或编程过程中临时中断以响应高优先级读取请求，并通过状态寄存器中的 Suspend Bit 跟踪操作状态。

W25Q80DV 引脚图

W25Q80DV 提供多种紧凑封装：

SOIC-8（150 mil / 208 mil）

WSON 6×5 mm

USON-8 2×3 mm

适用于空间受限的 PCB 设计，典型应用包括：

微控制器（MCU）外部程序存储（尤其无内置Flash的Cortex-M0/M3）；

Wi-Fi/BLE 模组的固件与配网参数存储；

工业传感器校准数据备份；

消费类设备（如TWS耳机、智能手表）的配置与日志记录。

设计建议

在 Quad SPI 模式下，确保 PCB 走线长度匹配以减少信号 skew；

利用 SFDP 表自动初始化 Flash 驱动，提升代码可移植性；

对关键数据区域启用 OTP 锁定，防止恶意篡改。

W25Q80DV 可选型号

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