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在刚刚落幕的2025国际集成电路展览会暨研讨会（IIC Shenzhen）上，备受瞩目的全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, WEAA）揭晓年度榜单。英飞凌科技（Infineon Technologies）凭借其 EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V 模块，一举摘得“年度功率半导体/驱动器”大奖。该奖项旨在表彰对全球电子产业技术进步具有实质性推动作用的创新产品，此次获奖再次印证了英飞凌在宽禁带半导体领域的领导地位。
作为面向工业与交通电动化核心场景的高功率解决方案，EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ 模块集成了英飞凌最新一代 1200V SiC MOSFET M1H芯片，在效率、功率密度与可靠性三方面实现突破性平衡。相较于传统硅基IGBT方案，该模块显著降低开关与导通损耗，使系统整体能效提升5%以上——这一优势在光伏逆变器、储能变流器、工业电机驱动及电动商用车电驱系统中尤为关键。
尤为引人注目的是其175℃过载耐温能力。在高温、高湿、高振动等严苛工况下，模块仍可稳定运行，大幅延长设备寿命并减少散热系统负担。同时，M1H芯片具备更高的栅极阈值电压（Vth），有效抑制因dv/dt引起的寄生导通，避免不必要的直通损耗与潜在系统故障，为紧凑型高功率设计提供安全保障。
在“双碳”目标驱动下，工业系统正加速向小型化、高效化、智能化演进。EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ 模块通过优化热管理路径与电气性能，助力客户在有限空间内实现更高输出功率，成为下一代绿色能源基础设施的关键使能技术。
英飞凌表示，此次获奖不仅是对其SiC技术实力的认可，更是对其持续推动材料创新战略的肯定。未来，公司将继续深耕硅（Si）、碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）三大技术平台，加速宽禁带半导体在能源转换、电动出行和智能电网等领域的规模化应用。
随着全球对能效与可持续发展的要求日益提高，以英飞凌为代表的半导体企业正通过材料、器件与封装的协同创新，重塑电力电子的性能边界。EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ 的成功，不仅是一款产品的胜利，更是整个产业迈向高能效未来的缩影。
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