英飞凌OptiMOS™ 7系列发布：应用定制化MOSFET重塑能效边界

在AI算力激增、数据中心功耗飙升的背景下，电源效率已从“优化项”变为“生死线”。英飞凌（Infineon）近日正式推出 OptiMOS™ 7 系列功率MOSFET，彻底摒弃“通用型”设计思维，转而以 应用导向（Application-Driven）策略，针对 云计算、电机驱动、电池管理 三大核心场景推出差异化产品线，将导通损耗、开关性能与热管理能力推向新高度。

三大细分赛道，精准击中能效痛点

不同于传统MOSFET“一芯多用”的思路，OptiMOS™ 7 首次按应用场景拆解技术指标：

开关优化型（面向服务器/电信）：专为硬开关与软开关拓扑定制。硬开关版本优化米勒电荷与FOM（品质因数），软开关版本则聚焦超低 RDS(on) 与 Qg。整体FOM较前代提升高达 25%，显著降低48V中间总线转换器（IBC）和AI加速卡供电系统的开关损耗。

电机驱动优化型：安全工作区（SOA）提升 3倍，跨导（gfs）改善达 70%，并增强抗噪声能力，适用于电动工具、园林设备等高动态负载场景，确保在堵转或突加负载时不失效。

低导通损耗型：面向BMS、12V辅助电源等慢速开关应用，RDS(on) 较OptiMOS™ 6 再降40%，同时支持高脉冲电流，提升电池包充放电效率与可靠性。

封装革命：Source Down + 双面散热，释放热瓶颈

性能提升离不开封装创新。OptiMOS™ 7 全面采用 PQFN 3.3×3.3 mm Source Down 结构，将源极置于芯片底部直接连接PCB铜箔，热阻降低30%以上。更提供 双面散热（Top & Bottom Cooling）版本，配合中心栅极布局，不仅提升散热效率，还简化高频PCB布线——栅极走线更短、环路面积更小，有效抑制EMI。

全系列支持 175°C 结温，满足严苛工业与车载环境需求。封装选项覆盖从紧凑型 PQFN 2×2 到高性能 SuperSO8 双面散热，形成完整“封装全家桶”，适配不同功率密度需求。

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聚焦25V细分市场，直击AI供电核心

首发的 OptiMOS™ 7 25V 产品，精准锚定AI服务器48V→12V/1V多级转换链中的关键节点。无论是硬开关LLC还是软开关ZVS拓扑，该系列均通过参数微调实现最优匹配。实测显示，其 RDS(on) 与 FOM 相比 OptiMOS™ 5 最多 降低20%、提升25%，在1kW+电源模块中可减少数瓦损耗——对万卡级AI集群而言，年省电费可达百万美元量级。

从器件到系统：能效竞争进入“毫米级”时代

英飞凌此举标志着功率半导体竞争已从“参数对标”转向“场景定义”。在碳中和与算力军备竞赛双重驱动下，每一毫欧导通电阻、每一纳库仑栅极电荷的优化，都直接转化为系统级能效红利。

OptiMOS™ 7 不仅是一代MOSFET，更是英飞凌“系统级能效”战略的缩影——用器件创新，为绿色计算、智能电动与可持续能源注入冷静而强劲的“芯”动力。