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随着人工智能（AI）工作负载激增，AI服务器的功耗已达传统服务器的2–4倍，占数据中心总能耗的10%–20%。这一趋势对电源系统提出了更高功率密度、更高效率及更强动态响应能力的要求。为应对挑战，现代AI服务器电源正加速采用三项关键技术：宽禁带（WBG）功率器件、先进栅极驱动器和具备数字信号处理（DSP）能力的高性能控制器。
首先，碳化硅（SiC）MOSFET与氮化镓（GaN）FET凭借其高开关频率、低导通损耗和优异高温特性，已广泛应用于服务器电源单元（PSU）。相比传统硅基器件，WBG器件可显著减小磁性元件体积，提升功率密度，并支持更高效率的拓扑结构（如图腾柱PFC、LLC谐振转换器）。同时，固态继电器正逐步替代机械继电器，带来更小尺寸、更高可靠性和更好的热稳定性。
其次，电源控制架构正从模拟向全数字化演进。Microchip的dsPIC33A数字信号控制器（DSC）成为关键使能技术。该系列DSC主频高达200 MHz，集成多通道高速PWM、实时ADC和专用电源管理外设，可执行复杂控制算法（如自适应环路补偿、预测性电流分配），实现微秒级动态响应。双核架构进一步提升系统灵活性——副核处理高优先级电源环路，主核负责通信（如PMBus）与系统监控。
dsPIC33A的新特性与增强功能
此外，dsPIC33A支持实时固件升级与安全启动，通过加密认证防止固件篡改，满足数据中心日益增长的功能安全需求。其可配置PWM模块兼容多种拓扑（包括多相VR、ZVS/ZCS转换器），特别适用于GPU等瞬态负载高达数百安培的供电场景。
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在追求更高效率与功率密度的现代电力电子系统中，功率MOSFET需在导通损耗、开关性能与热管理之间取得精细平衡。瑞萨电子（Renesas）推出的 RBE031N08R1SZN6 正是为此而生——这是一款基于 REXFET-1 分栅（split-gate）技术 的 80V N 沟道功率 MOSFET，采用 5×6 mm SO8-FL 封装，具备 3.1m...【详情+】
在高效率、高功率密度电源系统中，功率MOSFET的导通损耗、热性能与封装可制造性已成为决定整体方案成败的关键因素。瑞萨电子（Renesas）推出的RBE019N10R1SZQ4 （订购料号：RBE019N10R1SZQ4#GB0） 是一款基于 REXFET-1 split-gate 技术 的 100V N 沟道功率 MOSFET，凭借 1.9mΩ（最大值）的超低...【详情+】
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