Littelfuse LF21112TMR（全极）和LF11215TMR（双极）TMR开关：高灵敏低功耗传感新选择

来源：Littelfuse| 发布日期：2025-11-25 11:04:58 浏览量：

Littelfuse近期推出两款基于隧道磁阻（TMR）技术的新型磁性开关——LF21112TMR（全极）和LF11215TMR（双极），面向智能电表、物联网终端及紧凑型电子设备，提供兼具高灵敏度与超低功耗的传感解决方案。

TMR技术相较传统霍尔效应传感器，在磁灵敏度和静态功耗方面具有显著优势。LF21112TMR作为Littelfuse首款全极TMR开关，可响应任意磁极（N或S），典型工作电流仅200nA；LF11215TMR为双极开关，需特定磁极触发并由反向磁极复位，典型电流1.5μA，磁灵敏度达17高斯，适用于需要方向判别的旋转或位置检测场景。

二者均采用标准SOT23-3封装，支持1.8V至5.0V宽电压供电，内置推挽式CMOS输出与施密特触发器，有效抑制噪声干扰，提升系统鲁棒性。TMR元件本身具备优异的热稳定性与抗外部磁场干扰能力，适合在工业或户外环境中长期可靠运行。

从应用角度看，这两款器件特别适合电池供电且需“常开”工作的系统。例如，在智能水/气/热表中用于叶轮计数，在可穿戴设备中实现盖合检测，或在家电、电动工具中完成安全联锁。其低功耗特性可显著延长设备续航，而全极设计则降低磁体安装对准要求，简化机械结构。

值得注意的是，尽管TMR与霍尔传感器在功能上可互换，但其敏感轴方向不同：TMR通常沿芯片平面（X轴）感应，而霍尔多为垂直方向（Z轴）。因此在替换时需确认磁路布局是否适配。不过，得益于标准封装和CMOS兼容输出，多数情况下无需大幅修改现有PCB设计即可实现性能升级。

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