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在AI与高性能计算(HPC)驱动下,数据中心对内存带宽的需求正以前所未有的速度增长。为应对这一挑战,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出业界首款面向DDR5寄存双列直插式内存模块(RDIMM)的第六代(Gen6)寄存时钟驱动器(RCD)——RRG5006x系列。该产品率先实现9600兆传输/秒(MT/s)的数据速率,较上一代Gen5 RCD(8800MT/s)提升约10%,再次刷新服务器内存接口性能的行业标杆。
作为DDR5内存子系统的关键组件,RCD负责缓冲和分配来自内存控制器的命令、地址与时钟信号。随着AI大模型训练、实时推理及HPC应用对内存吞吐量提出更高要求,传统内存接口已逼近物理极限。瑞萨此次推出的Gen6 RCD不仅在速率上取得突破,更通过多项底层技术创新,显著提升了信号完整性与能效表现。

据瑞萨介绍,RRG5006x采用扩展的决策反馈均衡(DFE)架构,支持多达八个Taps和1.5mV精度的电压调整能力,可在高速运行下维持稳定的信号裕量。此外,新品还引入“决策引擎信号遥测与裕量调节”(DESTM)功能,可实时提供信号质量指标、可视化裕量状态,并支持动态诊断反馈,为系统级调优和故障排查提供关键数据支撑。
值得注意的是,尽管性能大幅提升,Gen6 RCD仍保持对第五代平台的向后兼容性,为现有服务器架构提供了平滑升级路径。这一设计降低了客户迁移成本,也加速了新技术在主流数据中心的部署节奏。
瑞萨内存接口事业部副总裁Sameer Kuppahalli表示:“生成式AI的爆发推动CPU核心数量激增,内存带宽已成为系统性能的关键瓶颈。Gen6 RCD体现了瑞萨在高速信号处理与低功耗设计上的深厚积累,是我们持续引领DDR5生态演进的重要一步。”
三星电子DRAM产品规划副总裁Indong Kim亦指出,双方已在多代内存接口芯片上深度合作,目前正将Gen6 RCD集成至新一代DDR5 RDIMM中,以适配多个SoC平台,满足AI与内存密集型负载的严苛需求。
目前,RRG5006x样品已面向包括主流DRAM厂商在内的特定客户开放,预计将于2027年上半年启动量产。随着该器件逐步导入下一代服务器平台,其在提升内存子系统效率、支撑更大规模AI训练集群方面的潜力值得期待。
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