英飞凌推车规级GaN晶体管，加速软件定义汽车电气架构升级

在全球汽车产业向电动化、智能化和软件定义深度演进的关键节点，英飞凌科技宣布推出其首款符合AEC-Q101标准的氮化镓（GaN）车规级晶体管系列——CoolGaN™ 100V G1，标志着GaN技术正式迈入主流汽车电子供应链。此举不仅填补了低压车载系统中高效功率器件的空白，更彰显了英飞凌在汽车半导体与宽禁带技术双赛道上的战略领先。

此次发布的CoolGaN™ 100V G1系列已开始提供预量产样品，涵盖高压（HV）晶体管及多种双向开关配置，专为满足现代汽车对高能效、小体积与高可靠性的严苛要求而设计。相较于传统硅基MOSFET，GaN器件凭借更高的电子迁移率和更低的导通/开关损耗，可在相同功率下实现30%以上的体积缩减和显著提升的转换效率，尤其适用于电池供电敏感的车载场景。

随着软件定义汽车加速从12V向48V电气架构过渡，整车对分布式电源管理的需求激增。英飞凌指出，新型100V GaN晶体管特别适用于区域控制器中的主DC-DC转换器、高性能辅助电源、D类音频放大器以及下一代信息娱乐系统。在这些应用中，GaN不仅降低了静态功耗，还通过高频开关能力简化了磁性元件设计，从而缩小整体电源模块尺寸，为紧凑型电子舱布局释放宝贵空间。

“汽车正从机械平台转变为移动数据中心，”英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示，“ADAS、智能座舱、电控底盘等系统对电力的需求持续攀升。CoolGaN™车规级产品正是为这一转型量身打造——它让更高性能与更低能耗不再互斥。”

值得注意的是，该系列产品是英飞凌构建完整车用GaN生态的重要一环。公司已规划扩展至更高电压等级（如650V），以覆盖车载充电器（OBC）和牵引逆变器等核心动力系统。结合其成熟的SiC与硅基IGBT产品线，英飞凌正打造覆盖全电压域的宽禁带半导体解决方案矩阵。

在碳中和与能效法规双重驱动下，GaN正从消费电子快速渗透至汽车领域。英飞凌此次率先推出AEC-Q101认证的100V GaN器件，不仅验证了其材料可靠性与制造工艺成熟度，更为行业树立了车规级GaN的设计与验证标杆。随着软件定义汽车对电力电子提出更高要求，GaN有望成为下一代车载电源架构的“新基石”，而英飞凌无疑已抢占先机。

英飞凌新型CoolGaN™ 100V G1车规级晶体管现已上市。目前可选型号有：IGC033S10S1Q和IGB110S10S1Q。

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