英飞凌推OptiMOS™ 7工业版，以场景化设计重塑功率MOSFET性能边界

面对AI服务器、电信基础设施及电动工具等领域对高效率、高功率密度电源系统的迫切需求，传统“通用型”功率MOSFET已难以满足细分场景的极致优化目标。英飞凌科技近日宣布扩展其OptiMOS™ 7产品线，正式推出面向工业与消费市场的全新系列，继汽车级产品之后，将“应用驱动设计”理念深度落地于25V与40V两大关键电压平台，为开关电源、电机驱动等高增长应用提供高度定制化的功率解决方案。

25V系列：为AI与电信电源量身优化

在AI算力爆发的推动下，48V中间总线架构（IBC）正成为数据中心电源的新主流。OptiMOS™ 7 25V MOSFET正是为这类高频、高效率转换场景而生。与以往通用型器件不同，该系列按拓扑结构细分优化路径：

硬开关型号：聚焦低米勒电荷（Qgd）与优异的品质因数（FOM = RDS(on) × Qg），适用于传统PFC或半桥拓扑；

软开关型号：追求极致导通电阻（RDS(on)低至0.45 mΩ）与超低栅极电荷（Qg），专为LLC、ZVS等谐振拓扑优化。

相较上一代OptiMOS™ 5，新器件在关键指标上实现显著跃升：RDS(on)最多降低20%，FOM提升高达25%。这意味着在48V转12V或更低电压的IBC中，导通与开关损耗同步下降，系统效率与功率密度得以双提升——对空间受限、散热严苛的AI服务器电源尤为关键。

40V系列：重新定义电机驱动可靠性

在电动工具、园林机械及工业伺服驱动领域，MOSFET不仅需高效，更需在高di/dt、感性负载反冲等恶劣工况下保持稳定。OptiMOS™ 7 40V系列通过三大创新回应这一挑战：

RDS(on)进一步降低，减少持续导通损耗；

栅极驱动特性优化，提升抗噪声能力，避免误触发；

安全工作区（SOA）扩大三倍，显著增强短时过载与雪崩能量耐受能力。

尤为值得一提的是，其跨导（gm）特性经过专门调校，可在多管并联时实现更均衡的电流分配，有效抑制局部热点与电压过冲，提升系统鲁棒性。实测表明，在无刷直流（BLDC）电机驱动中，该器件可支持更高转速与更频繁启停，同时延长设备寿命。

场景化设计：从“能用”到“最优”

英飞凌此次产品策略的核心，是从“提供器件”转向“解决应用问题”。通过深度理解终端系统拓扑、控制方式与失效模式，OptiMOS™ 7不再追求单一参数极致，而是围绕特定应用场景的系统级效率、可靠性与成本进行协同优化。例如，25V系列区分硬/软开关路径，40V系列强化SOA与并联性能，均体现了这一思路。

目前，OptiMOS™ 7工业与消费系列已提供多种封装选项，包括节省空间的PQFN 3.3×3.3 mm及散热增强型TOLT，适配高密度PCB布局与自动化生产需求。

在功率电子迈向“精细化、场景化”的新阶段，英飞凌OptiMOS™ 7系列以应用为中心的设计哲学，正为工程师提供更精准、更高效的功率开关选择，助力工业与消费电子在能效与可靠性上实现新一轮突破。

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