英飞凌CoolMOS™ 8：硅基MOSFET在宽禁带时代的新突破

尽管碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件在高频、高压应用中展现出显著优势，硅基MOSFET并未退出历史舞台。相反，凭借持续的技术演进，其在成本、通用性和系统级优化方面仍具不可替代性。英飞凌最新推出的CoolMOS™ 8系列，正是硅基超结MOSFET在SiC/GaN时代焕发新生的典范。

全维度性能升级

CoolMOS™ 8并非简单迭代，而是从芯片结构到封装工艺的系统性革新：

全系列标配快速体二极管

以往仅高端型号（如CFD7）集成快速体二极管，而CoolMOS™ 8实现全系列标配，使其同时适用于硬开关（如PFC）与软开关（如LLC）拓扑，简化BOM并提升设计灵活性。

行业领先的导通电阻

600V系列Rds(on)低至7 mΩ，650V系列低至8 mΩ。在千瓦级电源中，毫欧级降低可显著减少导通损耗，尤其在持续高负载工况下，效率增益可观。

开关损耗大幅优化

通过优化电荷分布与电容特性，CoolMOS™ 8将Eoss降低10%、Coss降低50%、Qg降低20%（数据来源：英飞凌）。这不仅减少了开关过程中的能量损耗，还降低了对栅极驱动器的电流需求，提升轻载效率——对负载波动剧烈的AI服务器电源尤为关键。

扩散焊工艺改善热性能

采用英飞凌专有扩散焊（Diffusion Soldering）工艺，显著提升芯片与引线框架间的热传导效率。实测显示，TO-247封装热阻降低14%，TO-220封装热阻降幅高达41%。更强的散热能力允许更高功率密度设计，或减少散热器体积，优化系统成本。

创新封装提升功率密度

除传统TO-247/TO-220外，CoolMOS™ 8提供QDPACK等顶部散热（TSC）贴片封装，高度统一为2.3 mm，便于自动化贴装。QDPACK利用PCB正反面空间，降低寄生电感，提升高频性能，单芯片Rds(on)可达7 mΩ，适用于高密度、高效率电源模块。

“All-in-One”产品策略

相比CoolMOS™ 7需按应用细分C7、P7、CFD7等多个子系列，CoolMOS™ 8以单一产品线覆盖全场景需求——从高性价比工业电源到高性能服务器PFC，无需切换型号，简化选型与库存管理。

实测验证：效率与密度双提升

在英飞凌3.3 kW高密度服务器电源参考设计（192×72×40 mm，功率密度98 W/in³）中，PFC与baby-boost级采用IPT60R016CM8（600V/16 mΩ）。实测显示，相比带快速体二极管的CoolMOS™ 7，整机效率提升0.04%~0.11%。看似微小，但在数据中心数千台服务器并行运行下，年节电量可达数万度。

应用场景广泛

CoolMOS™ 8的600V/650V产品线适用于：

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AI服务器与数据中心电源：高效率、低热阻应对高负载与散热挑战；

OBC与直流快充桩：快速体二极管支持高频PFC与LLC；

储能与UPS系统：高可靠性与宽工作温度范围（-55°C至150°C）；

工业SMPS：成本敏感场景下，以硅基方案实现接近宽禁带器件的性能。